參數(shù)資料
型號： BU407FI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Silicon NPN Transistor(硅NPN晶體管)
中文描述： 硅NPN晶體管（硅npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 35K
代理商： BU407FI
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
5.0
o
C/W
o
C/W
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
70
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
V
CE
=330 V
V
CE
=200 V
V
CE
=200 V
T
case
= 100
o
C
5
100
1
mA
μ
A
mA
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-emitter
Saturation Voltage
Base-emitter
Saturation Voltage
Transition-Frequency
V
EB
= 6 V
1
mA
V
CE(sat)
I
C
= 5 A
I
B
= 0.5 A
1
V
V
BE(sat)
I
C
= 5 A
I
B
= 0.5 A
1.2
V
f
T
I
C
= 0.5 A
V
CE
= 10 V
10
MHz
t
off
Turn-off Time
I
C
= 5 A
I
Bend
= 0.5 A
0.75
μ
s
I
s/b
Second Breakdown
Collector Current
V
CE
= 40 V
t = 10 ms
4
A
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %.
BU407FI
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PDF描述
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