參數(shù)資料
型號(hào)： BU407FI
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220FP
中文描述： 晶體管|晶體管| npn型| 150伏五（巴西）總裁| 7A條一（c）|至220FP
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
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代理商： BU407FI
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BU407 POWER TRANSISTORS(7A,150-200V,60W)
BU407 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
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參數(shù)描述
BU407FTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BU407G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 150V 60W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BU407G-X-TA3-T 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN EXPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
BU407H 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistor
BU407HTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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