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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU2532AW |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| 中文描述： | 16 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-429, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | BU2532AW |
Philips Semiconductors
Initial specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2532AW
Fig.7. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.8. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25C
= f (T
mb
)
Fig.9. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.10. Test Circuit RBSOA. V
CC
= 150 V;
-V
= 1 - 5 V;
L
C
= 1.5 mH; V
= 1450 V; L
= 0.3 - 2
μ
H;
C
FB
= 1 - 10 nF; I
B(end)
= 1.0 - 2.0 A
Fig.11. Reverse bias safe operating area. T
j
≤
T
jmax
0
1
2
3
4
0.6
0.7
0.8
0.9
1
VBEsat / V
BU2530/2AL
IC = 9 A
IC = 7 A
IB / A
Tj = 85 C
Tj = 25 C
LB
IBend
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
VCL
CFB
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
BU2530/32AL
100
1000
1500
0
10
20
30
40
IC / A
VCE / V
Area where
fails occur
1E-06
1E-04
1E-02
1E+00
t / s
Zth / (K/W)
BU2525A
D = 0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
0.1
0.01
0.001
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
September 1997
4
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2614F | Consumer IC |
| BU2615F | Consumer IC |
| BU2619 | Consumer IC |
| BU2611 | Consumer IC |
| BU2611F | Consumer IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU2532AW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-247 |
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