參數(shù)資料
型號(hào): BU2532AL
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Silicon Diffused Power Transistor
中文描述: 16 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, SOT-430, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 4/6頁(yè)
文件大小: 60K
代理商: BU2532AL
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2532AL
Fig.9. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.10. Test Circuit RBSOA. V
CC
= 150 V;
-V
= 1 - 5 V;
L
C
= 1.5 mH; V
= 1450 V; L
= 0.3 - 2
μ
H;
C
FB
= 1 - 10 nF; I
B(end)
= 1.0 - 2.0 A
Fig.11. Reverse bias safe operating area. T
j
T
jmax
1.0E-06
1E-04
1E-02
1E+00
0.001
0.01
0.1
1
10
0.2
0.1
0.05
0.02
0.5
D = 0
Zth / K/W
BU2530AL/32AL
t / s
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
BU2530/32AL
100
1000
1500
0
10
20
30
40
IC / A
VCE / V
Area where
fails occur
LB
IBend
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
VCL
CFB
September 1997
4
Rev 1.100
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PDF描述
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