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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU2525DX |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 12 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-399, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | BU2525DX |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2525DX
Fig.1. Switching times waveforms.
Fig.2. Switching times definitions.
Fig.3. Definition of anti-parallel diode V
fr
and t
fr
Fig.4. Switching times test circuit
Fig.5. Typical DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
parameter V
CE
Fig.6. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
IC
IB
VCE
I
Csat
IBend
32us
13us
10us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
D.U.T.
LB
IBend
-VBB
Rbe
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
BU2525DF
0.1
1
10
100
1
10
100
hFE
IC / A
5 V
1V
Tj = 25 C
Tj = 125 C
time
time
VF
Vfr
VF
IF
fr
t
10%
5 V
IF
0.1
1
10
IC / A
VBESAT / V
BU2525AF
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
Tj = 25 C
Tj = 125 C
IC/IB=
3
4
5
September 1997
3
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2527AF | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU2527AW | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2527AX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU2527A | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2527DF | Silicon Diffused Power Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BU2527AW/B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR LEISTUNGS BIPOLAR |
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