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參數(shù)資料
| 型號： | BU2525DW |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 12 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-429, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | BU2525DW |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2525DW
Fig.3. Definition of anti-parallel diode V
fr
and t
fr
Fig.4. Switching times test circuit
Fig.5. Typical DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
parameter V
CE
Fig.6. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.7. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.8. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
B
); parameter I
C
time
time
VF
Vfr
VF
IF
fr
t
10%
5 V
IF
0.1
1
10
IC / A
VBESAT / V
BU2525A
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
Tj = 25 C
Tj = 125 C
IC/IB=
3
4
5
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
D.U.T.
LB
IBend
-VBB
Rbe
0.1
10
IC / A
VCESAT / V
BU2525A
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
100
1
Tj = 25 C
Tj = 125 C
IC/IB =
4
5
3
0.1
1
10
100
1
10
100
hFE
BU2525D
IC / A
5 V
1V
Tj = 25 C
Tj = 125 C
0
1
2
3
4
IB / A
VBESAT / V
BU2525A
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
Tj = 25 C
Tj = 125 C
IC=
8 A
6 A
5 A
4 A
September 1997
3
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2525DX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2527AF | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
| BU2527AW | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2527AX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
| BU2527A | Silicon Diffused Power Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU2525DX | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2527A | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| BU2527AF | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| BU2527AF/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR ISOLATED SOT199 |
| BU2527AW | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
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