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參數(shù)資料
| 型號： | BU2520DX |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| 中文描述： | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-399, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | BU2520DX |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2520DX
Fig.13. Forward bias safe operating area.T
= 25 C
I
& I
= f(V
); I
single pulse; parameter t
Second-breakdown limits independant of temperature.
Mounted with heatsink compound.
BU2520AF
IC / A
100
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
VCE / V
100 us
1 ms
10 ms
DC
30 us
tp =
Ptot
ICM
ICDC
= 0.01
September 1997
5
Rev 2.300
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PDF描述 |
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