參數資料
型號: BU2520AW
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Silicon Diffused Power Transistor
中文描述: 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
封裝: PLASTIC, SOT-429, 3 PIN
文件頁數: 3/7頁
文件大小: 81K
代理商: BU2520AW
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2520AW
Fig.1. Test circuit for V
CEO
sust.
Fig.2. Oscilloscope display for V
CEO
sust.
Fig.3. Switching times waveforms (16 kHz).
Fig.4. Switching times waveforms (32 kHz).
Fig.5. Switching times definitions.
Fig.6. Switching times test circuit(BU2520A).
+ 50v
100-200R
Horizontal
Vertical
Oscilloscope
1R
6V
30-60 Hz
100R
IC
IB
VCE
ICsat
IBend
32us
13us
10us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
VCE / V
min
VCEOsust
IC / mA
100
200
250
0
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
IC
IB
VCE
ICsat
IBend
64us
26us
20us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
T.U.T.
LB
IBend
-VBB
September 1997
3
Rev 1.100
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PDF描述
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