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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BTB12 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 12A TRIACS |
| 中文描述： | 第12A雙向可控硅 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 109K |
| 代理商： | BTB12 |
BTA/BTB12 and T12 Series
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Fig. 4:
On-state characteristics (maximum
values).
Fig. 5:
Surge peak on-state current versus
number of cycles.
Fig. 6:
Non-repetitive surge peak on-state
current for a sinusoidal pulse with width
tp < 10ms, and corresponding value of I2t.
Fig. 7:
Relative variation of gate trigger current,
holding current and latching current versus
junction temperature (typical values).
Fig. 8-1:
Relative variation of critical rate of
decrease of main current versus (dV/dt)c (typical
values) (BW/CW/T1235).
Fig. 8-2:
Relative variation of critical rate of
decrease of main current versus (dV/dt)c (typical
values) (TW).
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
1
10
100
ITM (A)
Tj=25°C
Tj max
Tj max.
Vto = 0.85V
Rd = 35 m
VTM(V)
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
ITSM (A)
Non repetitive
Tj initial=25°C
Tc=90°C
One cycle
t=20ms
Number of cycles
0.01
0.10
1.00
10.00
10
100
1000
tp (ms)
ITSM (A), I2t (A2s)
Tj initial=25°C
ITSM
I2t
dI/dt limitation:
50A/μs
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
IGT,IH,IL[Tj] / IGT,IH,IL [Tj=25°C]
IGT
IH & IL
Tj(°C)
0.1
1.0
10.0
100.0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
(dI/dt)c [(dV/dt)c] / Specified (dI/dt)c
BW/CW/T1235
C
B
SW
(dV/dt)c (V/μs)
0.1
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1.0
10.0
100.0
(dI/dt)c [(dV/dt)c] / Specified (dI/dt)c
TW
(dV/dt)c (V/μs)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTB12-600BRG | 12A TRIACS |
| BTB12-600BWRG | 12A TRIACS |
| BTB12-600CRG | 12A TRIACS |
| BTB12-600CWRG | 12A TRIACS |
| BTB12-600SWRG | 12A TRIACS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BTB1200002 | 功能描述:212.5MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V Enable/Disable 制造商:txc corporation 系列:BT 包裝:* 零件狀態(tài):有效 類型:XO（標(biāo)準(zhǔn)） 頻率:212.5MHz 功能:啟用/禁用 輸出:LVDS 電壓 - 電源:3.3V 頻率穩(wěn)定度:±100ppm 工作溫度:-5°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大值）:- 等級(jí):- 安裝類型:表面貼裝 大小/尺寸:0.276" 長(zhǎng) x 0.197" 寬（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC） 電流 - 電源（禁用）（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
| BTB1205I3 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor |
| BTB1205I3_09 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor |
| BTB12-12S25D | 制造商:Bellnix Co Ltd 功能描述:Bulk |
| BTB12-12S25S | 制造商:Bellnix Co Ltd 功能描述:Module DC-DC 1-OUT 12V 0.25A 3W 7-Pin SMD Bulk |
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