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參數(shù)資料
| 型號： | BTB12-200CW |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 可控硅| 200伏五（DRM）的| 12A條口（T）的有效值|至220 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 109K |
| 代理商： | BTB12-200CW |
BTA/BTB12 and T12 Series
4/7
OTHER INFORMATION
Note:
xxx = voltage, yy = sensitivity, z = type
Part Number
Marking
Weight
Base
quantity
Packing
mode
BTA/BTB12-xxxyz
BTA/BTB12-xxxyz
2.3 g
250
Bulk
BTA/BTB12-xxxyzRG
BTA/BTB12-xxxyz
2.3 g
50
Tube
T1235-xxxG
T1235xxxG
1.5 g
50
Tube
T1235-xxxG-TR
T1235xxxG
1.5 g
1000
Tape & reel
Fig. 1:
Maximum power dissipation versus RMS
on-state current (full cycle).
Fig. 2-1:
RMS on-state current versus case
temperature (full cycle).
Fig. 2-2:
RMS on-state current versus ambient
temperature (printed circuit board FR4, copper
thickness: 35μm),full cycle.
Fig. 3:
Relative variation of thermal impedance
versus pulse duration.
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
2
4
6
8
10
12
14
16
P (W)
IT(RMS)(A)
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
12
14
IT(RMS) (A)
BTA
BTB/T12
Tc(°C)
0
25
50
75
100
125
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
Tamb(°C)
IT(RMS) (A)
D PAK
(S=1cm )
2
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
1E-2
1E-1
1E+0
K=[Zth/Rth]
Zth(j-c)
Zth(j-a)
tp(s)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTB12-400AW | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTB12-600AW | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTB12-600 | 12A TRIACS |
| BTB12-800 | 12A TRIACS |
| BTB12-600B | 12A TRIACS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BTB1236A3 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor |
| BTB1236AE3 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor |
| BTB1236AL3 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor |
| BTB1236AM3 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor |
| BTB1236AT3 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor |
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