參數(shù)資料
型號(hào): BTB06TW
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: Logic Level Triacs(邏輯電平雙向可控硅)
中文描述: 雙向邏輯電平(邏輯電平雙向可控硅)
文件頁(yè)數(shù): 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 69K
代理商: BTB06TW
GATECHARACTERISTICS
(maximum values)
PG (AV)= 1W
PGM= 10W (tp = 20
μ
s)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-a)
Junction to ambient
60
°
C/W
Rth (j-c) DC Junction to case for DC
BTA
4.4
°
C/W
BTB
3.3
Rth (j-c) AC
Junction to case for 360
°
conduction angle
( F= 50 Hz)
BTA
3.3
°
C/W
BTB
2.5
Symbol
Test Conditions
Quadrant
Suffix
Unit
TW
SW
IGT
VD=12V
(DC)
RL=33
Tj=25
°
C
I-II-III
MAX
5
10
mA
VGT
VD=12V
(DC)
RL=33
Tj=25
°
C
I-II-III
MAX
1.5
V
VGD
VD=VDRMRL=3.3k
Tj=110
°
C
I-II-III
MIN
0.2
V
tgt
VD=VDRM
dIG/dt = 0.5A/
μ
s
IG= 40mA
Tj=25
°
C
I-II-III
TYP
2
μ
s
IL
IG=1.2 IGT
Tj=25
°
C
I-III
TYP
8
15
mA
II
15
25
IH *
IT= 100mA gate open
Tj=25
°
C
MAX
15
25
mA
VTM *
ITM= 8.5A
tp= 380
μ
s
Tj=25
°
C
MAX
1.75
V
IDRM
IRRM
VDRM
VRRM
Rated
Rated
Tj=25
°
C
MAX
0.01
mA
Tj=110
°
C
MAX
1
dV/dt *
Linear slope up to VD=67%VDRM
gate open
Tj=110
°
C
MIN
20
50
V/
μ
s
(dI/dt)c *
dV/dt= 0.1V/
μ
s
Tj=110
°
C
MIN
2.7
3.5
A/ms
dV/dt= 20V/
μ
s
MIN
1.3
2.7
* For either polarity of electrode A
2
voltage with reference to electrode A
1
.
IGM= 4A (tp = 20
μ
s)
VGM= 16V (tp = 20
μ
s).
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
THERMAL RESISTANCES
BTA06 TW/SW / BTB06 TW/SW
2/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BTA06T Sensitive Gate Triacs(雙向可控硅)
BTA06A Sensitive Gate Triacs(雙向可控硅)
BTA06D Sensitive Gate Triacs(雙向可控硅)
BTB06D Sensitive Gate Triacs(雙向可控硅)
BTA06S Sensitive Gate Triacs(雙向可控硅)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BTB08 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:Discrete Triacs(Non-Isolated/Isolated)
BTB08-200A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|200V V(DRM)|8A I(T)RMS|TO-220
BTB08-200AW 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|200V V(DRM)|8A I(T)RMS|TO-220
BTB08200B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|200V V(DRM)|8A I(T)RMS|TO-220
BTB08-200B 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:TRIACS