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參數(shù)資料
| 型號： | BTA316-800B |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 3Q Hi-Com Triac |
| 封裝： | BTA316-800B<SOT78 (SOT78)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<,; |
| 文件頁數(shù)： | 3/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 273K |
| 代理商： | BTA316-800B |
BTA316-800B
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 22 November 2010
3 of 14
NXP Semiconductors
BTA316-800B
3Q Hi-Com Triac
4.
Limiting values
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
V
DRM
I
T(RMS)
Parameter
repetitive peak off-state voltage
RMS on-state current
Conditions
Min
-
-
Max
800
16
Unit
V
A
full sine wave; T
mb
≤
101 °C;
see
Figure 3
; see
Figure 1
; see
Figure 2
full sine wave; T
j(init)
= 25 °C;
t
p
= 20 ms; see
Figure 4
; see
Figure 5
full sine wave; T
j(init)
= 25 °C;
t
p
= 16.7 ms
t
p
= 10 ms; sine-wave pulse
I
T
= 20 A; I
G
= 0.2 A; dI
G
/dt = 0.2 A/μs
I
TSM
non-repetitive peak on-state
current
-
140
A
-
150
A
I
2
t
dI
T
/dt
I
GM
P
GM
P
G(AV)
T
stg
T
j
I
2
t for fusing
rate of rise of on-state current
peak gate current
peak gate power
average gate power
storage temperature
junction temperature
-
-
-
-
-
-40
-
98
100
2
5
0.5
150
125
A
2
s
A/μs
A
W
W
°C
°C
over any 20 ms period
Fig 1.
RMS on-state current as a function of mounting
base temperature; maximum values
Fig 2.
RMS on-state current as a function of surge
duration; maximum values
003aab684
0
4
8
12
16
20
-50
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
I
T(RMS)
(A)
003aab685
0
10
-2
10
20
30
40
50
60
10
-1
1
10
surge duration (s)
I
T(RMS)
(A)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTA316-800C | 3Q Hi-Com Triac |
| BTA316-800ET | 3Q Hi-Com Triac |
| BTA316-800E | 3Q Hi-Com Triac |
| BTA316B-600B | 3Q Hi-Com Triac |
| BTA316B-600C | 3Q Hi-Com Triac |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BTA316-800B,127 | 功能描述:雙向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BTA316-800B0,127 | 功能描述:雙向可控硅 Discrete Semiconductor Products 雙向可控硅 - TRIAC 3QUAD HI-COM SOT78 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BTA316-800C | 功能描述:雙向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BTA316-800C,127 | 功能描述:雙向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BTA316-800C/DGQ | 功能描述:雙向可控硅 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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