參數(shù)資料
型號： BTA316-600ET
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： 3Q Hi-Com Triac
中文描述： 600 V, 16 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/14頁
文件大?。?/td> 169K
代理商： BTA316-600ET
BTA316-600ET
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Product data sheet
Rev. 02 — 29 November 2010
3 of 14
NXP Semiconductors
BTA316-600ET
3Q Hi-Com Triac
4.
Limiting values
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
V
DRM
I
T(RMS)
Parameter
repetitive peak off-state voltage
RMS on-state current
Conditions
Min
-
-
Max
600
16
Unit
V
A
full sine wave; T
mb
≤
126 °C; see
Figure 3
;
see
Figure 1
; see
Figure 2
full sine wave; T
j(init)
= 25 °C; t
p
= 20 ms;
see
Figure 4
; see
Figure 5
full sine wave; T
j(init)
= 25 °C; t
p
= 16.7 ms
t
p
= 10 ms; sine-wave pulse
I
T
= 20 A; I
G
= 0.2 A; dI
G
/dt = 0.2 A/μs
I
TSM
non-repetitive peak on-state
current
-
140
A
-
-
-
-
-
-
-40
-
150
98
100
2
5
0.5
150
150
A
A
2
s
A/μs
A
W
W
°C
°C
I
2
t
dI
T
/dt
I
GM
P
GM
P
G(AV)
T
stg
T
j
I2t for fusing
rate of rise of on-state current
peak gate current
peak gate power
average gate power
storage temperature
junction temperature
over any 20 ms period
Fig 1.
RMS on-state current as a function of mounting
base temperature; maximum values
Fig 2.
RMS on-state current as a function of surge
duration; maximum values
003aab777
0
4
8
12
16
20
-50
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
I
T(RMS)
(A)
003aaf674
0
10
2
10
20
30
40
50
60
10
1
1
10
surge duration (s)
I
T(RMS)
(A)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BTA316-600E 3Q Hi-Com Triac
BTA316-800B0 3Q Hi-Com Triac
BTA316-800B 3Q Hi-Com Triac
BTA316-800C 3Q Hi-Com Triac
BTA316-800ET 3Q Hi-Com Triac
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BTA316-600ET,127 功能描述:雙向可控硅 600V 16A +150C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA316-600ET/DGQ 功能描述:BTA316-600ET/DG/SIL3P/STANDARD 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 三端雙向可控硅類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - 斷態(tài):600V 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:16A 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 不重復(fù)浪涌 50，60Hz（Itsm）:140A，150A 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:10mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:單一 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
BTA316-800B 功能描述:雙向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA316-800B,127 功能描述:雙向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA316-800B0,127 功能描述:雙向可控硅 Discrete Semiconductor Products 雙向可控硅 - TRIAC 3QUAD HI-COM SOT78 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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