參數(shù)資料
型號： BTA216-600D
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 3Q Hi-Com Triac
封裝： BTA216-600D<SOT78 (SOT78)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 124K
代理商： BTA216-600D
NXP
Semiconductors
Product specification
Three quadrant triacs
guaranteed commutation
BTA216 series D, E and F
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
R
th j-mb
Thermal resistance
junction to mounting base
Thermal resistance
junction to ambient
full cycle
half cycle
in free air
-
-
-
-
-
1.2
1.7
-
K/W
K/W
K/W
R
th j-a
60
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
BTA216-
...D
...E
...F
I
GT
Gate trigger current
2
V
= 12 V; I
T
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
V
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
-
-
-
5
5
5
10
10
10
25
25
25
mA
mA
mA
I
L
Latching current
-
-
-
15
25
25
25
30
30
30
40
40
mA
mA
mA
I
H
Holding current
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
-
15
25
30
mA
...D, E, F
V
T
V
GT
On-state voltage
Gate trigger voltage
I
T
= 20 A
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
DRM(max)
; T
j
= 125 C
-
-
1.5
1.5
-
V
V
V
0.25
I
D
Off-state leakage current
-
0.5
mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
BTA216-
...D
...E
...F
dV
D
/dt
Critical rate of rise of
off-state voltage
V
DM
= 67% V
DRM(max)
;
T
waveform; gate open
circuit
V
DM
= 400 V; T
j
= 125 C;
I
= 16 A;
dV
/dt = 10V/
μ
s; gate
open circuit
V
DM
= 400 V; T
j
= 125 C;
I
= 16 A;
dV
/dt = 0.1V/
μ
s; gate
open circuit
30
60
70
-
V/
μ
s
dI
com
/dt
Critical rate of change of
commutating current
2.5
6.2
18
-
A/ms
dI
com
/dt
Critical rate of change of
commutating current
12
20
50
-
A/ms
2
Device does not trigger in the T2-, G+ quadrant.
April 2002
2
Rev 2.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BTA216-600E 3Q Hi-Com Triac
BTA216-600F 3Q Hi-Com Triac
BTA216B-600B 3Q Hi-Com Triac
BTA216B-800B 3Q Hi-Com Triac
BTA216B-600D 3Q Hi-Com Triac
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BTA216-600D,127 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA216-600E 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA216-600E,127 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA216-600F 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA216-600F,127 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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