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參數(shù)資料
| 型號： | BTA212-600E |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 3Q Hi-Com Triac |
| 封裝： | BTA212-600E<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,; |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | BTA212-600E |
NXP
Semiconductors
Product specification
Three quadrant triacs
guaranteed commutation
BTA212 series D, E and F
Fig.1. Maximum on-state dissipation, P
, versus rms
on-state current, I
T(RMS)
, where
α
= conduction angle.
Fig.2. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
, versus pulse width t
p
, for
sinusoidal currents, t
p
≤
20ms.
Fig.3. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
, versus number of cycles, for
sinusoidal currents, f = 50 Hz.
Fig.4. Maximum permissible rms current I
T(RMS)
,
versus mounting base temperature T
mb
Fig.5. Maximum permissible repetitive rms on-state
current I
T(RMS)
, versus surge duration, for sinusoidal
mb
≤
99C.
Fig.6. Normalised gate trigger voltage
V
GT
(T
j
)/ V
GT
(25C), versus junction temperature T
j
.
0
5
10
15
0
5
10
15
20
= 180
120
90
60
30
IT(RMS) / A
Ptot / W
Tmb(max) / C
125
117.5
110
102.5
95
1
-50
0
50
Tmb / C
100
150
0
5
10
15
BT138
99 C
IT(RMS) / A
10us
100us
1ms
T / s
10ms
100ms
10
100
1000
ITSM / A
T
ITSM
time
I
Tj initial = 25 C max
T
dI /dt limit
0.01
0.1
1
10
0
5
10
15
20
25
surge duration / s
IT(RMS) / A
1
10
Number of cycles at 50Hz
100
1000
0
20
40
60
80
100
ITSM / A
T
ITSM
time
I
Tj initial = 25 C max
T
-50
0
50
100
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
Tj / C
VGT(Tj)
VGT(25 C)
June 2003
3
Rev 3.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTA212-600F | 3Q Hi-Com Triac |
| BTA212B-600B | 3Q Hi-Com Triac |
| BTA212B-800B | 3Q Hi-Com Triac |
| BTA212B-600D | 3Q Hi-Com Triac |
| BTA212B-600E | 3Q Hi-Com Triac |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BTA212-600E,127 | 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BTA212-600F | 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BTA212-600F,127 | 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BTA212-800B | 功能描述:雙向可控硅 RAIL 3Q TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BTA212-800B,127 | 功能描述:雙向可控硅 RAIL 3Q TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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