參數(shù)資料
型號： BTA208S-600D
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 3Q Hi-Com Triac
封裝： BTA208S-600D<SOT428 (SOT428)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大小： 232K
代理商： BTA208S-600D
BTA208S-600D
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 5 — 13 April 2011
6 of 13
NXP Semiconductors
BTA208S-600D
3Q Hi-Com Triac
6.
Characteristics
Table 6.
Symbol
Static characteristics
Characteristics
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
GT
gate trigger current
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2+ G+;
T
j
= 25 °C; see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2+ G-;
T
j
= 25 °C; see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2- G-;
T
j
= 25 °C; see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2+ G+;
T
j
= 25 °C; see
Figure 8
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2+ G-;
T
j
= 25 °C; see
Figure 8
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2- G-;
T
j
= 25 °C; see
Figure 8
V
D
= 12 V; T
j
= 25 °C; see
Figure 9
I
T
= 10 A; T
j
= 25 °C; see
Figure 10
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T
j
= 25 °C;
see
Figure 11
-
-
5
mA
-
-
5
mA
-
-
5
mA
I
L
latching current
-
-
15
mA
-
-
25
mA
-
-
25
mA
I
H
V
T
V
GT
holding current
-
-
15
mA
on-state voltage
-
-
1.65
V
gate trigger voltage
-
-
1.5
V
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A; T
j
= 125 °C;
see
Figure 11
0.25
-
-
V
I
D
Dynamic characteristics
off-state current
V
D
= 600 V; T
j
= 125 °C
-
-
0.5
mA
dV
D
/dt
rate of rise of off-state
voltage
V
DM
= 402 V; T
j
= 110 °C; exponential
waveform; gate open circuit
20
-
-
V/μs
dI
com
/dt
rate of change of
commutating current
V
D
= 400 V; T
j
= 125 °C; I
T(RMS)
= 8 A;
dV
com
/dt = 0.1 V/μs; gate open circuit
V
D
= 400 V; T
j
= 125 °C; I
T(RMS)
= 8 A;
dV
com
/dt = 10 V/μs; gate open circuit;
see
Figure 12
6
-
-
A/ms
2
-
-
A/ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BTA208S-600E 3Q Hi-Com Triac
BTA208S-600F 3Q Hi-Com Triac
BTA208S-800B 3Q Hi-com Triac
BTA208S-800E 3Q Hi-Com Triac
BTA208S-800F 3Q Hi-Com Triac
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BTA208S-600D,118 功能描述:雙向可控硅 TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA208S-600D/T3 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristor TRIAC 600V 72A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
BTA208S-600E 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:600 V, 8 A, TRIAC, TO-252
BTA208S-600E /T3 功能描述:雙向可控硅 TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA208S-600E,118 功能描述:雙向可控硅 TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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