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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BTA208-800E,127 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 8 A; V<sub>DRM</sub>: 800 V; Package: week 1, 2005 |
| 中文描述： | 800 V, 8 A, TRIAC, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/13頁(yè) |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | BTA208-800E,127 |
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BTA208-800E
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 05 — 12 April 2011
6 of 13
NXP Semiconductors
BTA208-800E
3Q Hi-Com Triac
6.
Characteristics
Table 6.
Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Static characteristics
IGT
gate trigger current
VD =12V; IT = 0.1 A; T2+ G+; Tj =25°C;
--10
mA
VD =12V; IT = 0.1 A; T2+ G-; Tj =25°C;
--10
mA
VD =12V; IT = 0.1 A; T2- G-; Tj =25°C;
--10
mA
IL
latching current
VD =12V; IG = 0.1 A; T2+ G+;
--25
mA
VD =12V; IG = 0.1 A; T2+ G-; Tj =25 °C;
--30
mA
VD =12V; IG = 0.1 A; T2- G-; Tj =25°C;
--30
mA
IH
holding current
--25
mA
VT
on-state voltage
--1.65
V
VGT
gate trigger voltage
VD =12V; IT = 0.1 A; Tj =25 °C;
--1.5
V
VD =400 V; IT = 0.1 A; Tj = 125 °C;
0.25
-
V
ID
off-state current
VD =800 V; Tj = 125 °C
-
0.5
mA
Dynamic characteristics
dVD/dt
rate of rise of off-state
voltage
VDM =535 V; Tj = 110 °C; exponential
waveform; gate open circuit
60
--V/s
dIcom/dt
rate of change of
commutating current
VD =400 V; Tj = 125 °C; IT(RMS) =8A;
dVcom/dt = 10 V/s; gate open circuit;
5
--A/ms
VD =400 V; Tj = 125 °C; IT(RMS) =8A;
dVcom/dt = 0.1 V/s; gate open circuit
10
--A/ms
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| BTA208B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:Three quadrant triacs guaranteed commutation |
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