參數(shù)資料
型號： BTA206-800ET
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 3Q Hi-Com Triac
封裝： BTA206-800ET<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<,;
文件頁數(shù)： 7/14頁
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代理商： BTA206-800ET
BTA206-800ET
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 23 August 2011
7 of 14
NXP Semiconductors
BTA206-800ET
3Q Hi-Com Triac
6.
Characteristics
Table 6.
Symbol
Static characteristics
I
GT
Characteristics
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
gate trigger current
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2+ G+; T
j
= 25 °C;
see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2+ G-; T
j
= 25 °C;
see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2- G-; T
j
= 25 °C;
see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2+ G+; T
j
= 25 °C;
see
Figure 8
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2+ G-; T
j
= 25 °C;
see
Figure 8
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2- G-; T
j
= 25 °C;
see
Figure 8
V
D
= 12 V; T
j
= 25 °C; see
Figure 9
I
T
= 7 A; see
Figure 10
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T
j
= 25 °C;
see
Figure 11
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A; T
j
= 150 °C
V
D
= 800 V; T
j
= 150 °C
-
-
10
mA
-
-
10
mA
-
-
10
mA
I
L
latching current
-
-
25
mA
-
-
30
mA
-
-
25
mA
I
H
V
T
V
GT
holding current
on-state voltage
gate trigger voltage
-
-
-
-
1.3
0.8
15
1.6
1.5
mA
V
V
0.25
-
-
V
I
D
Dynamic characteristics
dV
D
/dt
off-state current
-
0.4
2
mA
rate of rise of off-state
voltage
rate of change of
commutating current
V
DM
= 536 V; T
j
= 150 °C; exponential
waveform; gate open circuit
V
D
= 400 V; I
T(RMS)
= 6 A;
dV
com
/dt = 20 V/μs; (snubberless
condition); gate open circuit
I
TM
= 12 A; V
D
= 800 V; I
G
= 0.1 A;
dI
G
/dt = 5 A/μs
50
-
-
V/μs
dI
com
/dt
1
-
-
A/ms
t
gt
gate-controlled turn-on time
-
-
2
μs
相關PDF資料
PDF描述
BTA206X-800CT 3Q Hi-Com Triac
BTA206X-800ET 3Q Hi-Com Triac
BTA208-600B 3Q Hi-Com Triac
BTA208-600D 3Q Hi-Com Triac
BTA208-600E 3Q Hi-Com Triac
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BTA206-800ET,127 功能描述:雙向可控硅 3Q HI-COM TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA206X-800CT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRIAC HICOM TJ 6A 800V TO220F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRIAC, HICOM TJ, 6A, 800V, TO220F
BTA206X-800CT/L01, 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BTA206X-800CT/TO-220F/RAILH//L - Rail/Tube 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRIAC 800V 6A TO-220F
BTA206X-800CT/L02Q 功能描述:BTA206X-800CT/L02/TO-220F/STAN 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 三端雙向可控硅類型:標準 電壓 - 斷態(tài):800V 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:6A 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 不重復浪涌 50，60Hz（Itsm）:60A，66A 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:35mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:單一 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:600
BTA206X-800CT/L03Q 功能描述:BTA206X-800CT/L03/TO-220F/STAN 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 三端雙向可控硅類型:標準 電壓 - 斷態(tài):800V 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:6A 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 不重復浪涌 50，60Hz（Itsm）:60A，66A 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:35mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:單一 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:600
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