參數(shù)資料
型號(hào)： BTA204-600B
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 3Q Hi-Com Triac
封裝： BTA204-600B<SOT78 (SOT78)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,;
文件頁(yè)數(shù)： 7/14頁(yè)
文件大小： 652K
代理商： BTA204-600B
BTA204-600B
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 3 — 5 May 2011
7 of 14
NXP Semiconductors
BTA204-600B
3Q Hi-Com Triac
6.
Characteristics
Table 6.
Symbol
Static characteristics
I
GT
Characteristics
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
gate trigger current
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2+ G+; T
j
= 25 °C;
see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2+ G-; T
j
= 25 °C;
see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2- G-; T
j
= 25 °C;
see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2+ G+; T
j
= 25 °C;
see
Figure 8
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2+ G-; T
j
= 25 °C;
see
Figure 8
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2- G-; T
j
= 25 °C;
see
Figure 8
V
D
= 12 V; T
j
= 25 °C; see
Figure 9
I
T
= 5 A; T
j
= 25 °C; see
Figure 10
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T
j
= 25 °C;
see
Figure 11
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A; T
j
= 125 °C;
see
Figure 11
V
D
= 600 V; T
j
= 125 °C
-
-
50
mA
-
-
50
mA
-
-
50
mA
I
L
latching current
-
-
30
mA
-
-
45
mA
-
-
30
mA
I
H
V
T
V
GT
holding current
on-state voltage
gate trigger voltage
-
-
-
-
1.4
0.7
30
1.7
1.5
mA
V
V
0.25
0.4
-
V
I
D
Dynamic characteristics
dV
D
/dt
rate of rise of off-state voltage
off-state current
-
0.1
0.5
mA
V
DM
= 402 V; T
j
= 125 °C; exponential
waveform; gate open circuit
V
D
= 400 V; T
j
= 125 °C; I
T(RMS)
= 4 A;
dV
com
/dt = 20 V/μs; snubberless
condition; gate open circuit
I
TM
= 12 A; V
D
= 600 V; I
G
= 0.1 A;
dI
G
/dt = 5 A/μs
1000
-
-
V/μs
dI
com
/dt
rate of change of commutating
current
6
-
-
A/ms
t
gt
gate-controlled turn-on time
-
2
-
μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BTA204-600C 3Q Hi-Com Triac
BTA204-600D 3Q Hi-Com Triac
BTA204-600E 3Q Hi-Com Triac
BTA204-600F 3Q Hi-Com Triac
BTA204-800B 3Q Hi-Com Triac
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BTA204-600B,127 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA204-600C 功能描述:雙向可控硅 600V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA204-600C,127 功能描述:雙向可控硅 600V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA204-600C/DG,127 功能描述:雙向可控硅 3Q HI-COM TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA204-600D 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*