參數(shù)資料
型號(hào)： BTA201-600E
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 3Q Hi-Com Triac
封裝： BTA201-600E<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,;BTA201-600E<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<Always Pb-fr
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大小： 77K
代理商： BTA201-600E
BTA201_SER_B_E_ER_4
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 4 February 2008
2 of 12
NXP Semiconductors
BTA201 series B, E and ER
1 A Three-quadrant triacs high commutation
3.
Ordering information
4.
Limiting values
[1]
Although not recommended, off-state voltages up to 800 V may be applied without damage, but the triac may switch to the on-state. The
rate of rise of current should not exceed 6 A/
μ
s.
Table 2.
Type number
Ordering information
Package
Name
TO-92
Description
plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
Version
SOT54
BTA201-600B
BTA201-600E
BTA201-800B
BTA201-800E
BTA201-800ER
Table 3.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
DRM
repetitive peak off-state voltage
Limiting values
Conditions
Min
Max
Unit
BTA201-600B
BTA201-600E
BTA201-800B
BTA201-800E
BTA201-800ER
full sine wave; T
lead
≤
54.3
°
C; see
Figure 4
and
5
full sine wave; T
j
= 25
°
C prior to
surge; see
Figure 2
and
3
t = 20 ms
t = 16.7 ms
t
p
= 10 ms
I
TM
= 1.5 A; I
G
= 0.2 A;
dI
G
/dt = 0.2 A/
μ
s
[1]
-
600
600
800
800
800
1
V
V
V
V
V
A
[1]
-
-
-
-
-
I
T(RMS)
RMS on-state current
I
TSM
non-repetitive peak on-state current
-
-
-
-
12.5
13.7
0.78
100
A
A
A
2
s
A/
μ
s
I
2
t
dI
T
/dt
I
2
t for fusing
rate of rise of on-state current
I
GM
P
GM
P
G(AV)
T
stg
T
j
peak gate current
peak gate power
average gate power
storage temperature
junction temperature
-
-
-
40
-
2
5
0.1
+150
125
A
W
W
°
C
°
C
over any 20 ms period
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BTA201-800B 3Q Hi-Com Triac
BTA201-800E 3Q Hi-Com Triac
BTA201-800ER 3Q Hi-Com Triac
BTA201W-600E Logic level three-quadrant triac
BTA201W-800E Logic level three-quadrant triac
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BTA201-600E,112 功能描述:雙向可控硅 3 QUADRANT TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA201-600E,126 功能描述:雙向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 13.7A 3-Pin SPT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA201-600E/L01EP 功能描述:BTA201-600E/L01/TO-92/STANDARD 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 三端雙向可控硅類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - 斷態(tài):600V 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:1A 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 不重復(fù)浪涌 50，60Hz（Itsm）:12.5A，13.7A 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:10mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:12mA 配置:單一 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
BTA201-600E/L02EP 功能描述:BTA201-600E/L02/TO-92/STANDARD 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 三端雙向可控硅類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - 斷態(tài):600V 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:1A 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 不重復(fù)浪涌 50，60Hz（Itsm）:12.5A，13.7A 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:10mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:12mA 配置:單一 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
BTA201-800B 功能描述:雙向可控硅 3 QUADRANT TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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