參數(shù)資料
型號： BTA2008W-600D
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： 3Q Hi-Com Triac
中文描述： 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 9/16頁
文件大?。?/td> 490K
代理商： BTA2008W-600D
BTA2008W-600D
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Product data sheet
Rev. 1 — 7 July 2011
9 of 16
NXP Semiconductors
BTA2008W-600D
3Q Hi-Com Triac
(1) T2- G-
(2) T2+ G-
(3) T2+ G+
Fig 9.
Normalized gate trigger current as a function of
junction temperature
Fig 10. Normalized latching current as a function of
junction temperature
Fig 11. Normalized holding current as a function of
junction temperature
Fig 12. On-state current as a function of on-state
voltage
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
001aac669
1
2
3
0
(1)
(2)
(3)
I
GT
I
GT(25
°
C)
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
001aab100
1
2
3
0
I
L
I
L(25
°
C)
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
001aab099
1
2
3
0
I
H
I
H(25
°
C)
V
T
(V)
0
2
1.5
0.5
1
003aag297
0.4
0.6
0.2
0.8
1
I
T
(A)
0
(1)
(2)
(3)
相關PDF資料
PDF描述
BTA201-600B 3Q Hi-Com Triac
BTA201-600E 3Q Hi-Com Triac
BTA201-800B 3Q Hi-Com Triac
BTA201-800E 3Q Hi-Com Triac
BTA201-800ER 3Q Hi-Com Triac
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BTA2008W-600D,135 功能描述:雙向可控硅 3 QUADRANT TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA2008W-600D+135 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape
BTA2008W-600D135 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BTA2008W-800D,135 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BTA2008W-800D/SC-73/REELLG// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRIAC 800V 0.8A SC-73
BTA201 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:1 A Three-quadrant triacs high commutation
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