參數(shù)資料
型號(hào)： BTA2008-800E
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 3Q Hi-Com Triac
封裝： BTA2008-800E<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： BTA2008-800E
BTA2008_SER_D_E_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 18 January 2008
2 of 12
NXP Semiconductors
BTA2008 series D and E
0.8 A Three-quadrant triacs high commutation
3.
Ordering information
4.
Limiting values
[1]
Although not recommended, off-state voltages up to 800 V may be applied without damage, but the triac may switch to the on-state. The
rate of rise of current should not exceed 6 A/
μ
s.
Table 2.
Type number
Ordering information
Package
Name
TO-92
Description
plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
Version
SOT54
BTA2008-600D
BTA2008-600E
BTA2008-800D
BTA2008-800E
Table 3.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
DRM
repetitive peak off-state voltage
Limiting values
Conditions
BTA2008-600D; BTA2008-600E
BTA2008-800D; BTA2008-800E
full sine wave; T
lead
≤
70
°
C; see
Figure 4
and
5
full sine wave; T
j
= 25
°
C prior to
surge; see
Figure 2
and
3
t = 20 ms
t = 16.7 ms
t
p
= 10 ms
I
TM
= 1.5 A; I
G
= 20 mA;
dI
G
/dt = 0.2 A/
μ
s
Min
Max
600
800
0.8
Unit
V
V
A
[1]
-
-
-
I
T(RMS)
RMS on-state current
I
TSM
non-repetitive peak on-state current
-
-
-
-
9
9.9
0.41
100
A
A
A
2
s
A/
μ
s
I
2
t
dI
T
/dt
I
2
t for fusing
rate of rise of on-state current
I
GM
P
GM
P
G(AV)
T
stg
T
j
peak gate current
peak gate power
average gate power
storage temperature
junction temperature
-
-
-
40
-
1
5
0.1
+150
125
A
W
W
°
C
°
C
over any 20 ms period
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BTA2008W-600D 3Q Hi-Com Triac
BTA201-600B 3Q Hi-Com Triac
BTA201-600E 3Q Hi-Com Triac
BTA201-800B 3Q Hi-Com Triac
BTA201-800E 3Q Hi-Com Triac
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BTA2008-800E,412 功能描述:雙向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 9.9A 3-Pin SPT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA2008W-600D 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRIAC HICOM 0.8A 600V SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRIAC, HICOM, 0.8A, 600V, SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRIAC, HICOM, 0.8A, 600V, SOT223; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; Gate Trigger Current Max (QI), Igt:5mA; On State RMS Current IT(rms):800mA; Peak Non Rep Surge Current Itsm 50Hz:9A; Gate Trigger Voltage Max Vgt:2V; ;RoHS Compliant: Yes
BTA2008W-600D,135 功能描述:雙向可控硅 3 QUADRANT TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA2008W-600D+135 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape
BTA2008W-600D135 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*