參數(shù)資料
型號： BTA140-600
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 4Q Triac
中文描述： 4Q雙向可控硅
封裝： BTA140-600<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： BTA140-600
NXP
Semiconductors
Product specification
Triacs
BTA140 series
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
R
th j-mb
Thermal resistance
junction to mounting base
Thermal resistance
junction to ambient
full cycle
half cycle
in free air
-
-
-
-
-
1.0
1.4
-
K/W
K/W
K/W
R
th j-a
60
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
GT
Gate trigger current
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
6
10
11
23
35
35
35
70
mA
mA
mA
mA
I
L
Latching current
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
8
30
18
15
40
60
40
60
mA
mA
mA
mA
I
H
Holding current
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
T2+
T2-
-
-
-
-
7
12
1.3
0.7
0.4
0.1
60
60
1.55
1.5
-
0.5
mA
mA
V
V
V
mA
V
T
V
GT
On-state voltage
Gate trigger voltage
I
T
= 30 A
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A; T
j
= 125 C
V
D
= V
DRM(max)
; T
j
= 125 C
0.25
-
I
D
Off-state leakage current
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
dV
D
/dt
Critical rate of rise of
off-state voltage
Critical rate of change of
commutating voltage
Gate controlled turn-on
time
V
= 67% V
; T
= 125 C;
exponential waveform; gate open circuit
V
DM
= 400 V; T
= 95 C; I
= 25 A;
dI
com
/dt = 9 A/ms; gate open circuit
I
TM
D
= V
DRM(max)
; I
G
= 0.1 A;
dI
G
/dt = 5 A/
μ
s
100
300
-
V/
μ
s
dV
com
/dt
-
10
-
V/
μ
s
t
gt
-
2
-
μ
s
May 2003
2
Rev 1.500
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BTA140-800 4Q Triac
BTA2008-600D 3Q Hi-Com Triac
BTA2008-600E 3Q Hi-Com Triac
BTA2008-800D 3Q Hi-Com Triac
BTA2008-800E 3Q Hi-Com Triac
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BTA140-600,127 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA140-600 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRIAC 25A 600V TO-220AB
BTA140-600/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC 25A/600V
BTA140-600-0Q 功能描述:BTA140-600-0/SIL3P/STANDARD MA 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 三端雙向可控硅類型:標準 電壓 - 斷態(tài):600V 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:25A 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 不重復浪涌 50，60Hz（Itsm）:190A，209A 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:70mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:單一 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000
BTA140-600-0TQ 功能描述:BTA140-600-0T/SIL3P/STANDARD M 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 三端雙向可控硅類型:標準 電壓 - 斷態(tài):600V 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:25A 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 不重復浪涌 50，60Hz（Itsm）:190A，209A 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:70mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:單一 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000
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