參數(shù)資料
型號(hào)： BT236X-600G
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 4Q Triac
中文描述： 4Q雙向可控硅
封裝： BT236X-600G<SOT186A (SOT186A)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT186A.html<1<,;
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
文件大?。?/td> 120K
代理商： BT236X-600G
BT236X_SER_F_G
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 3 — 3 November 2011
6 of 13
NXP Semiconductors
BT236X series F and G
6 A Four-quadrant triacs
7. Static characteristics
Table 6.
T
j
= 25
C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Static characteristics
Conditions
BT236X-600
BT236X-800
Min
Typ
BT236X-600F
BT236X-600G
BT236X-800G
Min
Typ
Unit
Max
Min
Typ
Max
Max
I
GT
gate trigger
current
V
D
= 12 V;
I
T
= 0.1 A;
see
Figure 8
T2+ G+
T2+ G
T2
G
T2
G+
V
D
= 12 V;
I
GT
= 0.1 A;
see
Figure 10
T2+ G+
T2+ G
T2
G
T2
G+
V
D
= 12 V;
I
GT
= 0.1 A;
see
Figure 11
-
-
-
-
5
8
11
30
35
35
35
70
-
-
-
-
5
8
11
30
25
25
25
70
-
-
-
-
5
8
11
30
50
50
50
100
mA
mA
mA
mA
I
L
latching current
-
-
-
-
-
7
16
5
7
5
30
45
30
45
20
-
-
-
7
16
5
7
5
30
45
30
45
20
-
-
-
-
-
7
16
5
7
5
45
60
45
60
40
mA
mA
mA
mA
mA
I
H
holding current
-
V
T
on-state voltage I
T
= 10 A;
see
Figure 9
V
D
= 12 V;
I
T
= 0.1 A;
see
Figure 7
V
D
= 400 V;
I
T
= 0.1 A;
T
j
= 125
C
-
1.3
1.65
-
1.3
1.65
-
1.3
1.65
V
V
GT
gate trigger
voltage
-
0.7
1.5
-
0.7
1.5
-
0.7
1.5
V
0.25
0.4
-
0.25
0.4
-
0.25
0.4
-
V
I
D
off-state current V
D
= V
DRM(max);
T
j
= 125
C
-
0.1
0.5
-
0.1
0.5
-
0.1
0.5
mA
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PDF描述
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BT236X-800G 4Q Triac
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BT236X-800G 功能描述:雙向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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