參數(shù)資料
型號(hào)： BT234-800D
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 4Q Triac
中文描述： 4Q雙向可控硅
封裝： BT234-800D<SOT78 (SOT78)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<,;
文件頁(yè)數(shù)： 3/14頁(yè)
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代理商： BT234-800D
BT234-800D
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 4 October 2011
3 of 14
NXP Semiconductors
BT234-800D
4Q Triac
4.
Limiting values
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
V
DRM
I
T(RMS)
Parameter
repetitive peak off-state voltage
RMS on-state current
Conditions
Min
-
-
Max
800
4
Unit
V
A
full sine wave; T
mb
≤
110 °C; see
Figure 1
;
see
Figure 2
; see
Figure 3
full sine wave; T
j(init)
= 25 °C; t
p
= 20 ms;
see
Figure 4
; see
Figure 5
full sine wave; T
j(init)
= 25 °C; t
p
= 16.7 ms
t
p
= 10 ms; sine-wave pulse
I
T
= 7 A; I
G
= 0.2 A; dI
G
/dt = 0.2 A/μs;
T2+ G+
I
T
= 7 A; I
G
= 0.2 A; dI
G
/dt = 0.2 A/μs; T2+ G-
I
T
= 7 A; I
G
= 0.2 A; dI
G
/dt = 0.2 A/μs; T2- G-
I
T
= 7 A; I
G
= 0.2 A; dI
G
/dt = 0.2 A/μs; T2- G+
I
TSM
non-repetitive peak on-state
current
-
35
A
-
-
-
38.5
6.1
50
A
A
2
s
A/μs
I
2
t
dI
T
/dt
I
2
t for fusing
rate of rise of on-state current
-
-
-
-
-
-
-40
-
50
50
10
2
5
0.5
150
125
A/μs
A/μs
A/μs
A
W
W
°C
°C
I
GM
P
GM
P
G(AV)
T
stg
T
j
peak gate current
peak gate power
average gate power
storage temperature
junction temperature
over any 20 ms period
Fig 1.
RMS on-state current as a function of mounting
base temperature; maximum values
Fig 2.
RMS on-state current as a function of surge
duration; maximum values
T
mb
(°C)
-50
150
100
0
50
003aag692
2
3
1
4
5
I
T(RMS)
(A)
0
110 °C
0
2
4
6
8
10
surge duration (s)
10
-2
10
1
10
-1
003aag663
I
T(RMS)
(A)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BT234-800E 4Q Triac
BT234X-600D 4Q Triac
BT234X-600E 4Q Triac
BT234X-800D 4Q Triac
BT234X-800E 4Q Triac
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BT234-800D,127 功能描述:雙向可控硅 4Q Triac RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT234-800E,127 功能描述:雙向可控硅 4Q Triac RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT234-LT 制造商:Amped RF Wireless Technology 功能描述:BT234 USB Dongle w/ BT43LT Bluetooth v4.0 Module
BT234X-600D,127 功能描述:雙向可控硅 4Q Triac RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT234X-600E,127 功能描述:雙向可控硅 4Q Triac RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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