參數(shù)資料
型號： BT169H
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： SCR
封裝： BT169H<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 6/12頁
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代理商： BT169H
BT169H
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 3 — 7 November 2011
6 of 12
NXP Semiconductors
BT169H
SCR
6.
Characteristics
Table 6.
Symbol
Static characteristics
I
GT
Characteristics
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
gate trigger current
V
D
= 12 V; I
T
= 10 mA; T
j
= 25 °C;
see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
G
= 0.5 mA; R
GK
= 1 k
;
T
j
= 25 °C; see
Figure 8
V
D
= 12 V; R
GK
= 1 k
; T
j
= 25 °C;
see
Figure 9
I
T
= 1.2 A; T
j
= 25 °C; see
Figure 10
V
D
= 12 V; I
T
= 10 mA; T
j
= 25 °C;
see
Figure 11
V
D
= 800 V; I
T
= 10 mA; T
j
= 125 °C;
see
Figure 11
V
D
= 800 V; T
j
= 125 °C; R
GK
= 1 k
T
j
= 125 °C; R
GK
= 1 k
; V
R
= 800 V
1
50
100
μA
I
L
latching current
-
2
6
mA
I
H
holding current
-
1.5
3
mA
V
T
V
GT
on-state voltage
gate trigger voltage
-
-
1.25
0.5
1.7
0.8
V
V
0.3
0.5
-
V
I
D
I
R
Dynamic characteristics
dV
D
/dt
off-state current
reverse current
-
-
0.05
0.05
0.1
0.1
mA
mA
rate of rise of off-state voltage
V
DM
= 536 V; T
j
= 125 °C;
R
GK
= 1 k
; exponential waveform;
see
Figure 12
150
350
-
V/μs
t
gt
gate-controlled turn-on time
I
TM
= 2 A; V
D
= 800 V; I
G
= 10 mA;
dI
G
/dt = 0.1 A/μs; T
j
= 25 °C
V
DM
= 402 V; T
j
= 125 °C;
I
TM
= 1.6 A; V
R
= 35 V;
(dI
T
/dt)
M
= 30 A/μs; dV
D
/dt = 2 V/μs;
R
GK
= 1 k
-
2
-
μs
t
q
commutated turn-off time
-
100
-
μs
Fig 7.
Normalized gate trigger current as a function of
junction temperature
Fig 8.
Normalized latching current as a function of
junction temperature
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
001aab502
1
2
3
0
I
GT
I
GT(25
°
C)
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
001aab503
1
2
3
0
I
L
I
L(25
°
C)
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