參數(shù)資料
型號： BT151S-800R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： SCR
封裝： BT151S-800R<SOT428 (SOT428)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大小： 76K
代理商： BT151S-800R
BT151S_SER_L_R_5
NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 05 — 9 October 2006
3 of 13
NXP Semiconductors
BT151S series L and R
Thyristors
Form factor a = I
T(RMS)
/I
T(AV)
Total power dissipation as a function of average on-state current; maximum values
Fig 1.
f = 50 Hz
Fig 2.
Non-repetitive peak on-state current as a function of the number of sinusoidal current cycles; maximum
values
I
T(AV) (A)
0
8
6
4
2
001aab019
5
10
15
P
tot
(W)
0
116
107
98
T
mb(max)
(
°
C)
125
a =
1.57
4
2.8
2.2
1.9
conduction
angle
(degrees)
form
factor
a
30
60
90
120
180
4
2.8
2.2
1.9
1.57
α
001aaa957
80
40
120
160
I
TSM
(A)
0
n
1
10
3
10
2
10
t
p
T
j
initial = 25
°
C max
I
T
I
TSM
t
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BT151U-500C Thyristor
BT151U-650C SCR
BT151U-800C Thyristor
BT151X-500C Thyristor
BT151X-650C Thyristor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BT151S-800R /T3 功能描述:SCR TAPE13 SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT151S-800R,118 功能描述:SCR TAPE13 SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT151S-800R118 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR 800V 12A SOT428
BT151SERIES 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Thyristors
BT151SSERIES 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristors
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