參數(shù)資料
型號(hào)： BT151S-650R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Thyristor
封裝： BT151S-650R<SOT428 (SOT428)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,;
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
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代理商： BT151S-650R
BT151S_SER_L_R_5
NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 05 — 9 October 2006
6 of 13
NXP Semiconductors
BT151S series L and R
Thyristors
6.
Characteristics
Table 5.
T
j
= 25
°
C unless otherwise stated.
Symbol
Parameter
Static characteristics
I
GT
gate trigger current
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
D
= 12 V; I
T
= 100 mA; see
Figure 8
BT151S-500L
BT151S-500R
BT151S-650L
BT151S-650R
BT151S-800R
V
D
= 12 V; I
GT
= 100 mA; see
Figure 10
V
D
= 12 V; I
GT
= 100 mA; see
Figure 11
I
T
= 23 A; see
Figure 9
I
T
= 100 mA; V
D
= 12 V; see
Figure 7
I
T
= 100 mA; V
D
= V
DRM(max)
;
T
j
= 125
°
C
V
D
= V
DRM(max)
; T
j
= 125
°
C
V
R
= V
RRM(max)
; T
j
= 125
°
C
-
-
-
-
-
-
2
2
2
2
2
10
5
15
5
15
15
40
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
L
latching current
I
H
holding current
-
7
20
mA
V
T
V
GT
on-state voltage
gate trigger voltage
-
-
0.25
1.4
0.6
0.4
1.75
1.5
-
V
V
V
I
D
I
R
Dynamic characteristics
dV
D
/dt
off-state current
reverse current
-
-
0.1
0.1
0.5
0.5
mA
mA
rate of rise of off-state
voltage
V
DM
= 0.67
×
V
DRM(max)
; T
j
= 125
°
C;
exponential waveform; see
Figure 12
R
GK
= 100
gate open circuit
I
TM
= 40 A; V
D
= V
DRM(max)
;
I
G
= 100 mA; dI
G
/dt = 5 A/
μ
s
V
DM
= 0.67
×
V
DRM(max)
; T
j
= 125
°
C;
I
TM
= 20 A; V
R
= 25 V;
(dI
T
/dt)
M
= 30 A/
μ
s; dV
D
/dt = 50 V/
μ
s;
R
GK
= 100
200
50
-
1000
130
2
-
-
-
V/
μ
s
V/
μ
s
μ
s
t
gt
gate-controlled turn-on
time
commutated turn-off
time
t
q
-
70
-
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BT151S-800R SCR
BT151U-500C Thyristor
BT151U-650C SCR
BT151U-800C Thyristor
BT151X-500C Thyristor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BT151S-650R /T3 功能描述:SCR TAPE13 SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT151S-650R,118 功能描述:SCR TAPE13 SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT151S-650R118 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BT151S-650SJ 功能描述:BT151S-650S/DPAK/REEL 13" Q1/T 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 斷態(tài):650V 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:200μA 電壓 - 通態(tài)（Vtm）（最大值）:1.75V 電流 - 通態(tài)（It（AV））（最大值）:7.5A 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:12A 電流 - 保持（Ih）（最大值）:6mA 電流 - 斷態(tài)（最大值）:500μA 電流 - 不重復(fù)浪涌 50，60Hz（Itsm）:90A，100A SCR 類型:靈敏柵極 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
BT151S-800R 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristors
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