參數(shù)資料
型號: BT151S-500R
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: SCR
封裝: BT151S-500R<SOT428 (DPAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù): 9/13頁
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代理商: BT151S-500R
BT151S_SER_L_R_5
NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 05 — 9 October 2006
9 of 13
NXP Semiconductors
BT151S series L and R
Thyristors
7.
Package outline
Fig 13. Package outline SOT428 (DPAK)
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT428
SC-63
TO-252
SOT428
06-02-14
06-03-16
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Plastic single-ended surface-mounted package (DPAK); 3 leads (one lead cropped)
A
2
1
3
E
1
D
2
D
1
H
D
L
L
1
L
2
e
1
e
mounting
base
w
A
M
b
E
b
2
b
1
c
A
1
y
0
5
10 mm
scale
UNIT
mm
0.93
0.46
5.46
5.00
0.56
0.20
6.22
5.98
6.73
6.47
10.4
9.6
2.95
2.55
A
1
2.38
2.22
A
b
2
1.1
0.9
b
1
e
1
0.89
0.71
b
c
D
1
0.9
0.5
L
2
E
e
2.285
4.57
4.0
D
2
min
4.45
E
1
min
0.5
L
1
min
H
D
L
w
0.2
y
max
0.2
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BT151S-650R Thyristor
BT151S-800R SCR
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參數(shù)描述
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BT151S-500R,118 功能描述:SCR TAPE13 SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT151S-500R118 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BT151S-650L 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristors
BT151S-650L /T3 功能描述:SCR TAPE 13-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube