參數(shù)資料
型號: BT151S-500L
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 晶閘管
英文描述: SCR
中文描述: 12 A, 500 V, SCR, TO-252AA
封裝: PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù): 6/13頁
文件大?。?/td> 76K
代理商: BT151S-500L
BT151S_SER_L_R_5
NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 05 — 9 October 2006
6 of 13
NXP Semiconductors
BT151S series L and R
Thyristors
6.
Characteristics
Table 5.
T
j
= 25
°
C unless otherwise stated.
Symbol
Parameter
Static characteristics
I
GT
gate trigger current
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
D
= 12 V; I
T
= 100 mA; see
Figure 8
BT151S-500L
BT151S-500R
BT151S-650L
BT151S-650R
BT151S-800R
V
D
= 12 V; I
GT
= 100 mA; see
Figure 10
V
D
= 12 V; I
GT
= 100 mA; see
Figure 11
I
T
= 23 A; see
Figure 9
I
T
= 100 mA; V
D
= 12 V; see
Figure 7
I
T
= 100 mA; V
D
= V
DRM(max)
;
T
j
= 125
°
C
V
D
= V
DRM(max)
; T
j
= 125
°
C
V
R
= V
RRM(max)
; T
j
= 125
°
C
-
-
-
-
-
-
2
2
2
2
2
10
5
15
5
15
15
40
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
L
latching current
I
H
holding current
-
7
20
mA
V
T
V
GT
on-state voltage
gate trigger voltage
-
-
0.25
1.4
0.6
0.4
1.75
1.5
-
V
V
V
I
D
I
R
Dynamic characteristics
dV
D
/dt
off-state current
reverse current
-
-
0.1
0.1
0.5
0.5
mA
mA
rate of rise of off-state
voltage
V
DM
= 0.67
×
V
DRM(max)
; T
j
= 125
°
C;
exponential waveform; see
Figure 12
R
GK
= 100
gate open circuit
I
TM
= 40 A; V
D
= V
DRM(max)
;
I
G
= 100 mA; dI
G
/dt = 5 A/
μ
s
V
DM
= 0.67
×
V
DRM(max)
; T
j
= 125
°
C;
I
TM
= 20 A; V
R
= 25 V;
(dI
T
/dt)
M
= 30 A/
μ
s; dV
D
/dt = 50 V/
μ
s;
R
GK
= 100
200
50
-
1000
130
2
-
-
-
V/
μ
s
V/
μ
s
μ
s
t
gt
gate-controlled turn-on
time
commutated turn-off
time
t
q
-
70
-
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BT151S-500R SCR
BT151S-650L SCR
BT151S-650R Thyristor
BT151S-800R SCR
BT151U-500C Thyristor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BT151S-500L /T3 功能描述:SCR TAPE 13-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT151S-500L,118 功能描述:SCR TAPE 13-THYR AND RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT151S-500R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BT151S-500R /T3 功能描述:SCR TAPE13 SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT151S-500R,118 功能描述:SCR TAPE13 SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube