參數(shù)資料
型號： BT151-650L
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： SCR
封裝： BT151-650L<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 7/11頁
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代理商： BT151-650L
BT151-650L_5
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 05 — 2 March 2009
7 of 11
NXP Semiconductors
BT151-650L
SCR, 12 A, 5 mA, 650 V, SOT78
Fig 9.
Normalized latching current as a function of
junction temperature
Fig 10. Normalized holding current as a function of
junction temperature
Fig 11. On-state current as a function of on-state
voltage
Fig 12. Normalized gate trigger voltage as a function of
junction temperature
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
001aaa951
1
2
3
0
I
L
I
L(25
°
C)
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
001aaa950
1
2
3
I
H
I
H(25
°
C)
0
V
T
(V)
0
2
1.5
0.5
1
001aaa959
10
20
30
I
T
(A)
0
(3)
(2)
(1)
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
001aaa953
0.8
1.2
1.6
0.4
V
GT
V
GT(25
°
C)
相關PDF資料
PDF描述
BT151-650R SCR
BT151-800R SCR
BT151S-500L SCR
BT151S-500R SCR
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BT151-650L,127 功能描述:SCR RAIL-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT151-650R 功能描述:SCR RAIL SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT151-650R,127 功能描述:SCR RAIL SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT151-650R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR 7.5A 650V TO-220
BT151-650R/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR 12A 650V
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