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參數(shù)資料
| 型號： | BT151-500RT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | SCR |
| 中文描述： | 12.5 A, 500 V, SCR, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | BT151-500RT |
BT151-500RT_1
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 18 May 2009
6 of 11
NXP Semiconductors
BT151-500RT
SCR, 12 A, 15 mA, 500 V, SOT78
6.
Characteristics
Table 6.
Symbol
Dynamic charateristics
dV
D
/dt
Characteristics
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
rate of rise of off-state
voltage
V
DM
= 335 V; T
j
= 125 °C; gate open
circuit; see
Figure 7
V
DM
= 335 V; T
j
= 125 °C; R
GK
= 100
I
TM
= 40 A; V
D
= 500 V; I
G
= 100 mA;
dI
G
/dt = 5 A/μs
V
DM
= 335 V; T
j
= 125 °C; I
TM
= 20 A;
V
R
= 25 V; (dI
T
/dt)
M
= 30 A/μs;
dV
D
/dt = 50 V/μs; R
GK
= 100
50
130
-
V/μs
200
-
1000
2
-
-
V/μs
μs
t
gt
gate-controlled turn-on
time
commutated turn-off
time
t
q
-
70
-
μs
Static characteristics
I
GT
gate trigger current
V
D
= 12 V; T
j
= 25 °C; I
T
= 100 mA;
see
Figure 8
V
D
= 12 V; T
j
= 25 °C; I
G
= 100 mA;
see
Figure 9
T
j
= 25 °C; see
Figure 10
I
T
= 23 A; T
j
= 25 °C; see
Figure 11
I
T
= 100 mA; V
D
= 12 V; T
j
= 25 °C;
see
Figure 12
-
2
15
mA
I
L
latching current
-
10
40
mA
I
H
V
T
V
GT
holding current
on-state voltage
gate trigger voltage
-
-
-
7
1.4
0.6
20
1.75
1.5
mA
V
V
I
T
= 100 mA; V
D
= 500 V; T
j
= 125 °C
V
D
= 500 V; T
j
= 125 °C
V
R
= 500 V; T
j
= 125 °C
0.25
-
-
0.4
0.1
0.1
-
0.5
0.5
V
mA
mA
I
D
I
R
off-state current
reverse current
Fig 7.
Critical rate of rise of off-state voltage as a
function of junction temperature; minimum
values
Fig 8.
Normalized gate trigger current as a function of
junction temperature
001aaa949
10
3
10
2
10
4
dV
D
/dt
(V/
μ
s)
10
T
j
(
°
C)
0
150
100
50
(2)
(1)
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
003aab824
1
2
3
0
I
GT
I
GT(25
°
C)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT151-500R | SCR |
| BT151-650L | SCR |
| BT151-650R | SCR |
| BT151-800R | SCR |
| BT151S-500L | SCR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BT151-500RT,127 | 功能描述:SCR THYRISTOR 12A 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| BT151-500RT127 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR 12.5A 500V TO-220AB |
| BT151-600 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HCP12C60 |
| BT151-650C | 功能描述:SCR THYRISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| BT151-650C,127 | 功能描述:SCR THYRISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
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