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參數(shù)資料
| 型號： | BT150S-600R |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Logic level thyristor |
| 中文描述： | 邏輯電平可控硅 |
| 封裝： | BT150S-600R<SOT428 (DPAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,; |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 106K |
| 代理商： | BT150S-600R |
Semiconductors
Product specification
Thyristors
logic level
BT150S series
BT150M series
Fig.1. Maximum on-state dissipation, P
, versus
average on-state current, I
T(AV)
, where
a = form factor = I
T(RMS)
T(AV)
.
Fig.2. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
, versus pulse width t
p
, for
sinusoidal currents, t
p
≤
10ms.
Fig.3. Maximum permissible rms current I
T(RMS)
,
versus mounting base temperature T
mb
Fig.4. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
, versus number of cycles, for
sinusoidal currents, f = 50 Hz.
Fig.5. Maximum permissible repetitive rms on-state
current I
T(RMS)
, versus surge duration, for sinusoidal
mb
≤
111C.
Fig.6. Normalised gate trigger voltage
V
GT
(T
j
)/ V
GT
(25C), versus junction temperature T
j
.
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
1
2
3
4
5
6
a = 1.57
1.9
2.2
2.8
4
BT148
IF(AV) / A
Ptot / W
Tmb(max) / C
125
122
119
116
113
110
107
conduction
angle
degrees
30
60
90
120
180
form
factor
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
1
1000
0
10
20
30
40
10
100
Number of half cycles at 50Hz
ITSM / A
T
ITSM
time
I
T
Tj initial = 25 C max
10
100
1000
BT148
ITSM / A
10us
100us
1ms
10ms
T / s
time
T
Tj initial = 25 C max
T
I
ITSM
dI /dt limit
0
0.1
1
10
2
4
6
8
10
12
BT150
surge duration / s
IT(RMS) / A
-50
0
50
100
0
1
2
3
4
5
BT148Z
Tmb / C
IT(RMS) / A
111 C
-50
0
100
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
BT151
T50
VGT(Tj)
VGT(25 C)
October 1997
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT151-1000RT | SCR |
| BT151-500C | SCR |
| BT151-650C | Thyristor |
| BT151-800C | Thyristor |
| BT151-500L | SCR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BT150S-600R /T3 | 功能描述:SCR TAPE13 SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| BT150S-600R,118 | 功能描述:SCR TAPE13 SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| BT150S-800R | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristors logic level |
| BT150SERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Thyristors logic level |
| BT150SSERIES | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristors logic level |
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