參數(shù)資料
型號(hào)： BT145
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： Thyristors
中文描述： 晶閘管
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 40K
代理商： BT145
Philips Semiconductors
Product specification
Thyristors
BT145B series
Fig.7. Normalised gate trigger current
I
GT
(T
j
)/ I
GT
(25C), versus junction temperature T
j
.
Fig.8. Normalised latching current I
(T
j
)/ I
L
(25C),
versus junction temperature T
j
.
Fig.9. Normalised holding current I
(T
j
)/ I
H
(25C),
versus junction temperature T
j
.
Fig.10. Typical and maximum on-state characteristic.
Fig.11. Transient thermal impedance Z
th j-mb
, versus
pulse width t
p
.
Fig.12. Typical, critical rate of rise of off-state voltage,
dV
D
/dt versus junction temperature T
j
.
-50
0
50
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
BT145
IGT(Tj)
IGT(25 C)
0
0.5
1
1.5
2
0
10
20
30
40
50
typ
max
BT145
VT / V
IT / A
Tj = 125 C
Tj = 25 C
Vo = 1.045 V
Rs = 0.011 ohms
-50
0
50
Tj / C
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
BT145
IL(Tj)
IL(25 C)
0.001
0.01
0.1
1
10
BT145
tp / s
Zth j-mb (K/W)
10us
0.1ms
1ms
10ms
0.1s
1s
10s
tp
P
D
t
-50
0
50
Tj / C
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
BT145
IH(Tj)
IH(25 C)
0
50
100
150
10
100
1000
10000
Tj / C
dVD/dt (V/us)
gate open circuit
May 1997
4
Rev 1.000
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PDF描述
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BT145-800R,127 功能描述:SCR 25A 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT145-800RTQ 功能描述:BT145-800RTQ SIL3P STANDARD 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 斷態(tài):800V 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:10mA 電壓 - 通態(tài)（Vtm）（最大值）:1.5V 電流 - 通態(tài)（It（AV））（最大值）:16A 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:25A 電流 - 保持（Ih）（最大值）:60mA 電流 - 斷態(tài)（最大值）:2mA 電流 - 不重復(fù)浪涌 50，60Hz（Itsm）:300A，330A SCR 類型:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)型 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
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