- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369512 > BT139B-500H (NXP SEMICONDUCTORS) Octal D-Type Registers with 3-State Outputs 20-LCCC -55 to 125 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BT139B-500H |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Octal D-Type Registers with 3-State Outputs 20-LCCC -55 to 125 |
| 中文描述： | 500 V, 16 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 51K |
| 代理商： | BT139B-500H |
Philips Semiconductors
Product specification
Triacs
BT139B series
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
R
th j-mb
Thermal resistance
junction to mounting base
R
th j-a
Thermal resistance
junction to ambient
CONDITIONS
full cycle
half cycle
minimum footprint, FR4 board
MIN.
-
-
-
TYP.
-
-
55
MAX.
1.2
1.7
-
UNIT
K/W
K/W
K/W
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
...F
UNIT
BT139B-
...
...G
I
GT
Gate trigger current
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
5
8
35
35
35
70
25
25
25
70
50
50
50
100
mA
mA
mA
mA
10
22
I
L
Latching current
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
-
-
-
7
40
60
40
60
30
40
60
40
60
30
1.6
1.5
-
60
90
60
90
60
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
20
8
10
6
1.2
0.7
0.4
I
H
V
T
V
GT
Holding current
On-state voltage
Gate trigger voltage
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
I
T
= 20 A
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
;
T
j
= 125 C
0.25
I
D
Off-state leakage current
-
0.1
0.5
mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
...F
50
TYP.
MAX.
UNIT
BT139B-
...
...G
200
dV
D
/dt
Critical rate of rise of
off-state voltage
V
DM
= 67% V
DRM(max)
;
T
waveform; gate open
circuit
V
DM
= 400 V; T
j
= 95 C;
I
T(RMS)
= 16 A;
dI
/dt = 7.2 A/ms; gate
open circuit
I
TM
= 20 A; V
D
= V
;
I
G
= 0.1 A; dI
G
/dt = 5 A/
μ
s
100
250
-
V/
μ
s
dV
com
/dt
Critical rate of change of
commutating voltage
-
-
10
20
-
V/
μ
s
t
gt
Gate controlled turn-on
time
-
-
-
2
-
μ
s
October 1997
2
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT139B-600H | Octal D-Type Registers with 3-State Outputs 20-CDIP -55 to 125 |
| BT139BSERIESE | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BT139BSERIESH | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BT139F-500 | Triacs(雙向可控硅) |
| BT139F-800 | Triacs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BT139B500T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|500V V(DRM)|16A I(T)RMS|SOT-404 |
| BT139B-600 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs |
| BT139B-600 /T3 | 功能描述:雙向可控硅 TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BT139B-600,118 | 功能描述:雙向可控硅 TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BT139B600E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|600V V(DRM)|16A I(T)RMS|SOT-404 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。