參數(shù)資料
型號(hào)： BT139-600G
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： Triacs
中文描述： 600 V, 16 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商： BT139-600G
Philips Semiconductors
Product specification
Triacs
BT139 series
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
R
th j-mb
Thermal resistance
junction to mounting base
R
th j-a
Thermal resistance
junction to ambient
CONDITIONS
full cycle
in free air
MIN.
-
-
-
TYP.
-
-
60
MAX.
1.2
1.7
-
UNIT
K/W
K/W
K/W
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
...F
UNIT
BT139-
...
...G
I
GT
Gate trigger current
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
5
8
35
35
35
70
25
25
25
70
50
50
50
100
mA
mA
mA
mA
10
22
I
L
Latching current
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
-
-
-
7
40
60
40
60
45
40
60
40
60
45
1.6
1.5
-
60
90
60
90
60
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
20
8
10
6
1.2
0.7
0.4
I
H
V
T
V
GT
Holding current
On-state voltage
Gate trigger voltage
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
I
T
= 20 A
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
;
T
j
= 125 C
0.25
I
D
Off-state leakage current
-
0.1
0.5
mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
...F
50
TYP.
MAX.
UNIT
BT139-
...
...G
200
dV
D
/dt
Critical rate of rise of
off-state voltage
V
DM
= 67% V
DRM(max)
;
T
waveform; gate open
circuit
V
DM
= 400 V; T
j
= 95 C;
I
T(RMS)
= 16 A;
dI
/dt = 7.2 A/ms; gate
open circuit
I
TM
= 20 A; V
D
= V
;
I
G
= 0.1 A; dI
G
/dt = 5 A/
μ
s
100
250
-
V/
μ
s
dV
com
/dt
Critical rate of change of
commutating voltage
-
-
10
20
-
V/
μ
s
t
gt
Gate controlled turn-on
time
-
-
-
2
-
μ
s
April 2003
2
Rev 1.500
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BT139-700 TRIAC|700V V(DRM)|16A I(T)RMS|TO-220
BT139-700E TRIAC|700V V(DRM)|16A I(T)RMS|TO-220
BT139-700G TRIAC|700V V(DRM)|16A I(T)RMS|TO-220
BT139-700H TRIAC|700V V(DRM)|16A I(T)RMS|TO-220
BT139B_SERIES Triacs
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參數(shù)描述
BT139-600G0Q 功能描述:BT139-600G0/SIL3P/STANDARD MAR 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 三端雙向可控硅類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - 斷態(tài):600V 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:16A 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 不重復(fù)浪涌 50，60Hz（Itsm）:155A，170A 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:100mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:單一 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
BT139-600G0TQ 功能描述:BT139-600G0T/SIL3P/STANDARD MA 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 三端雙向可控硅類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - 斷態(tài):600V 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:16A 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 不重復(fù)浪涌 50，60Hz（Itsm）:155A，170A 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:100mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:單一 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
BT139-600H 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs high noise immunity
BT139-60DG 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:4Q Triac High blocking voltage capability
BT139-700 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|700V V(DRM)|16A I(T)RMS|TO-220
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