參數(shù)資料
型號： BT139-500H
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： Triacs high noise immunity
中文描述： 500 V, 16 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： BT139-500H
Philips Semiconductors
Product specification
Triacs
high noise immunity
BT139 series H
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
R
th j-mb
Thermal resistance
junction to mounting base
R
th j-a
Thermal resistance
junction to ambient
CONDITIONS
full cycle
half cycle
in free air
MIN.
-
-
-
TYP.
-
-
60
MAX.
1.2
1.7
-
UNIT
K/W
K/W
K/W
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
I
GT
Gate trigger current
CONDITIONS
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
10
10
10
10
14
17
18
40
50
50
50
100
mA
mA
mA
mA
I
L
Latching current
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
-
-
-
10
25
12
14
8
1.2
0.7
0.4
0.1
60
90
60
90
60
1.6
1.5
-
0.5
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
H
V
T
V
GT
Holding current
On-state voltage
Gate trigger voltage
V
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
I
T
= 20 A
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A; T
j
= 125 C
V
D
= V
DRM(max)
; T
j
= 125 C
0.25
-
I
D
Off-state leakage current
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
dV
D
/dt
Critical rate of rise of
off-state voltage
dV
com
/dt
Critical rate of change of
commutating voltage
t
gt
Gate controlled turn-on
time
CONDITIONS
V
= 67% V
; T
= 125 C;
exponential waveform; gate open circuit
V
DM
= 400 V; T
= 95 C; I
= 16 A;
dI
com
/dt = 7.2 A/ms; gate open circuit
I
TM
D
= V
DRM(max)
; I
G
= 0.1 A;
dI
G
/dt = 5 A/
μ
s
MIN.
200
TYP.
500
MAX.
-
UNIT
V/
μ
s
10
20
-
V/
μ
s
-
2
-
μ
s
September 1997
2
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BT139-600H Triacs high noise immunity
BT139_SERIES Triacs
BT139-500 Triacs
BT139-500F Triacs
BT139-500G Triacs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BT139-600 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT139-600,127 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT139-600 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRIAC 16A 600V TO-220
BT139-600/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC 16A/600V
BT139-600-0Q 功能描述:BT139-600-0/SIL3P/STANDARD MAR 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 三端雙向可控硅類型:標準 電壓 - 斷態(tài):600V 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:16A 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 不重復(fù)浪涌 50，60Hz（Itsm）:155A，170A 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:70mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:單一 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000
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