參數(shù)資料
型號: BT138-600
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 4Q Triac
中文描述: 4Q雙向可控硅
封裝: BT138-600<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,;BT138-600/DG<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<,;
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代理商: BT138-600
NXP
Semiconductors
Product specification
Triacs
BT138 series
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
R
th j-mb
Thermal resistance
junction to mounting base
Thermal resistance
junction to ambient
full cycle
half cycle
in free air
-
-
-
-
-
1.5
2.0
-
K/W
K/W
K/W
R
th j-a
60
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
BT138-
...
...F
...G
I
GT
Gate trigger current
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
5
8
35
35
35
70
25
25
25
70
50
50
50
100
mA
mA
mA
mA
10
22
I
L
Latching current
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
-
7
40
60
40
60
30
40
60
40
60
30
60
90
60
90
60
mA
mA
mA
mA
mA
20
8
10
6
I
H
V
T
V
GT
Holding current
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
I
T
= 15 A
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
;
T
j
= 125 C
On-state voltage
Gate trigger voltage
-
-
1.4
0.7
0.4
1.65
1.5
-
V
V
V
0.25
I
D
Off-state leakage current
-
0.1
0.5
mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
BT138-
...
...F
50
...G
200
dV
D
/dt
Critical rate of rise of
off-state voltage
V
DM
= 67% V
DRM(max)
;
T
waveform; gate open
circuit
V
DM
= 400 V; T
j
= 95 C;
I
T(RMS)
= 12 A;
dI
/dt = 5.4 A/ms; gate
open circuit
I
TM
= 16 A; V
D
= V
;
I
G
= 0.1 A; dI
G
/dt = 5 A/
μ
s
100
250
-
V/
μ
s
dV
com
/dt
Critical rate of change of
commutating voltage
-
-
10
20
-
V/
μ
s
t
gt
Gate controlled turn-on
time
-
-
-
2
-
μ
s
June 2001
2
Rev 1.400
相關PDF資料
PDF描述
BT138-600G 4Q Triac
BT138-800 4Q Triac
BT138-800G 4Q Triac
BT138B-600E 4Q Triac
BT138B-800E 4Q Triac
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BT138-600,127 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT138-600 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRIAC 12A 600V TO-220
BT138-600/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC 12A/600V
BT138-600/DG,127 功能描述:雙向可控硅 4Q TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT138-600-0Q 功能描述:BT138-600-0/SIL3P/STANDARD MAR 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 三端雙向可控硅類型:標準 電壓 - 斷態(tài):600V 電流 - 通態(tài)(It(RMS))(最大值):12A 電壓 - 柵極觸發(fā)(Vgt)(最大值):1V 電流 - 不重復浪涌 50,60Hz(Itsm):95A,105A 電流 - 柵極觸發(fā)(Igt)(最大值):35mA 電流 - 保持(Ih)(最大值):30mA 配置:單一 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000