參數(shù)資料
型號(hào)： BT137F-600G
英文描述： Thyristor Product Catalog
中文描述： 晶閘管產(chǎn)品目錄
文件頁(yè)數(shù)： 88/224頁(yè)
文件大小： 2697K
代理商： BT137F-600G
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http://www.teccor.com
+1 972-580-7777
E9 - 2
2002 Teccor Electronics
Thyristor Product Catalog
Sidac
Data Sheets
Specific Test Conditions
di/dt
— Critical rate-of-rise of on-state current
dv/dt
— Critical rate-of-rise of off-state voltage at rated V
DRM
;
T
J
≤
100 °C
I
BO
— Breakover current 50/60 Hz sine wave
I
DRM
— Repetitive peak off-state current 50/60 Hz sine wave; V = V
DRM
I
H
— Dynamic holding current 50/60 Hz sine wave; R = 100
I
T(RMS)
— On-state RMS current T
J
≤
125 °C 50/60 Hz sine wave
I
TSM
— Peak one-cycle surge current 50/60 Hz sine wave (non-
repetitive)
RS
R
S
— Switching resistance
50/60 Hz sine wave
V
BO
— Breakover voltage 50/60 Hz sine wave
V
DRM
— Repetitive peak off-state voltage
V
TM
— Peak on-state voltage; I
T
= 1 A
General Notes
All measurements are made at 60 Hz with a resistive load at an
ambient temperature of +25 °C unless otherwise specified.
Storage temperature range (T
S
) is -65 °C to +150 °C.
The case (T
C
) or lead (T
L
) temperature is measured as shown on
the dimensional outline drawings in the “Package Dimensions” sec-
tion of this catalog.
Junction temperature range (T
J
) is -40 °C to +125 °C.
Lead solder temperature is a maximum of +230 °C for 10-second
maximum;
≥
1/16" (1.59 mm) from case.
Electrical Specification Notes
(1)
See Figure E9.5 for V
BO
change versus junction temperature.
See Figure E9.6 for I
BO
versus junction temperature.
See Figure E9.2 for I
H
versus case temperature.
See Figure E9.13 for test circuit.
See Figure E9.1 for more than one full cycle rating.
T
C
≤
90 °C for TO-92 Sidac
T
C
≤
105 °C for TO-202 Sidacs
T
L
≤
100 °C for DO-15X
T
L
≤
90 °C for DO-214
See Figure E9.14 for clarification of sidac operation.
For best sidac operation, the load impedance should be near or
less than switching resistance.
See package outlines for lead form configurations. When ordering
special lead forming, add type number as suffix to part number.
(10) Do not use electrically connected mounting tab or center lead.
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
V-I Characteristics
Type
Part No.
I
T(RMS)
V
DRM
V
BO
(1)
I
DRM
I
BO
(2)
I
H
TO-92
DO-15X
(10)
TO-202
DO-214
(7) (8)
Amps
MAX
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Volts
MIN
±70
±90
±90
±90
±90
±90
±90
±180
±180
±190
±200
±200
Volts
μAmps
MAX
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
μAmps
MAX
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
(3) (4)
mAmps
TYP
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
See “Package Dimensions” section for variations. (9)
K0900E70
K0900G
K1050E70
K1050G
K1100E70
K1100G
K1200E70
K1200G
K1300E70
K1300G
K1400E70
K1400G
K1500E70
K1500G
K2000E70
K2000G
K2200E70
K2200G
K2400E70
K2400G
K2500E70
K2500G
MIN
79
95
104
110
120
130
140
190
205
220
240
270
MAX
97
113
118
125
138
146
170
215
230
250
280
330
MAX
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
K0900S
K1050S
K1100S
K1200S
K1300S
K1400S
K1500S
K2000S
K2200S
K2400S
K2500S
K2000F1
K2200F1
K2400F1
K2500F1
K3000F1
IS
VS
–
-VBO
)
I
BO
–
)
=
-V
+I
V
DRM
+V
V
S
I
S
I
H
R
S
I
DRM
I
BO
V
BO
V
T
I
T
(I
S
- I
BO
)
(V
BO
- V
S
)
R
S =
-I
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BT137F-800G Thyristor Product Catalog
BT137S-600E DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 17.95Vz 5mA-Izt 0.0641 0.1uA-Ir 12.6 SOT-363 3K/REEL
BT137X-500 DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 6.8Vz 5mA-Izt 0.0588 2uA-Ir 4 SOT-363 3K/REEL
BT137X-500D DIODE ZENER SINGLE 200mW 6.8Vz 5mA-Izt 0.0588 2uA-Ir 4 SOT-323 3K/REEL
BT137X-500E DIODE ZENER SINGLE 300mW 7.5Vz 5mA-Izt 0.0604 1uA-Ir 5 SOT-23 3K/REEL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BT137F700 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|700V V(DRM)|8A I(T)RMS|SOT-186
BT137F700E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|700V V(DRM)|8A I(T)RMS|SOT-186
BT137F700G 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|700V V(DRM)|8A I(T)RMS|SOT-186
BT137F-800 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs
BT137F-800F 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs
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