參數(shù)資料
型號(hào)： BT137F-600D
元件分類： 三端雙向可控硅開關(guān)
英文描述： DIODE SWITCHING DUAL COMMON-ANODE 75V 160mA-Io 250mW 3000ns-trr SOT-23 3K/REEL
中文描述： 晶閘管產(chǎn)品目錄
文件頁(yè)數(shù)： 24/224頁(yè)
文件大小： 2697K
代理商： BT137F-600D
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Sensitive Triacs
Data Sheets
http://www.teccor.com
+1 972-580-7777
E1 - 4
2002 Teccor Electronics
Thyristor Product Catalog
Specified Test Conditions
di/dt
— Maximum rate-of-change of on-state current; I
GT
= 50 mA with
0.1
μ
s rise time
dv/dt
— Critical rate-of-rise of off-state voltage at rated V
DRM
gate open
dv/dt(c)
— Critical rate-of-rise of commutation voltage at rated V
DRM
and I
T(RMS)
commutating di/dt = 0.54 rated I
T(RMS)
/ms; gate
unenergized
I
2
t
— RMS surge (non-repetitive) on-state current for period of 8.3 ms
for fusing
I
DRM
— Peak off-state current, gate open; V
DRM
= max rated value
I
GT
— DC gate trigger current in specific operating quadrants;
V
D
= 12 V dc; R
L
= 60
I
GTM
— Peak gate trigger current
I
H
— Holding current gate open; initial on-state current = 100 mA dc
I
T(RMS)
— RMS on-state current conduction angle of 360°
I
TSM
— Peak one-cycle surge
P
G(AV)
— Average gate power dissipation
P
GM
— Peak gate power dissipation;
I
GT
≤
I
GTM
t
gt
— Gate controlled turn-on time; I
GT
= 50 mA with 0.1 μs rise time
V
DRM
— Repetitive peak off-state/blocking voltage
V
GT
— DC gate trigger voltage; V
D
= 12 V dc; R
L
= 60
V
TM
— Peak on-state voltage at max rated RMS current
General Notes
All measurements are made with 60 Hz resistive load and at an
ambient temperature of +25
°
C unless otherwise specified.
Operating temperature range (T
J
) is -65
°
C to +110
°
C for TO-92
devices and -40
°
C to 110
°
C for all other devices.
Storage temperature range (T
S
) is -65
°
C to +150
°
C for TO-92
devices, -40
°
C to +150
°
C for TO-202 devices, and -40
°
C to
+125
°
C for TO-220 devices.
Lead solder temperature is a maximum of 230
°
C for 10 seconds
maximum at a minimum of 1/16” (1.59 mm) from case.
The case or lead temperature (T
C
or T
L
) is measured as shown on
dimensional outline drawings. See “Package Dimensions” section
of this catalog.
I
T(RMS)
(11)
Part No.
V
DRM
(1)
I
GT
(3) (6)
I
DRM
(1) (14)
Isolated
Non-isolated
TO-220
TO-252
D-Pak
TO-251
V-Pak
Volts
mAmps
QII
MAX
5
5
5
5
5
5
10
10
10
5
5
5
10
10
10
mAmps
QI
QIII
QIV
T
C
= 25 °C T
C
= 110 °C
MAX
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
MAX
See “Package Dimensions” section for variations. (12)
L2006L5
L2006D5
L4006L5
L4006D5
L6006L5
L6006D5
L2006L6
L2006D6
L4006L6
L4006D6
L6006L6
L6006D6
L2006L8
L2006D8
L4006L8
L4006D8
L6006L8
L6006D8
L2008L6
L2008D6
L4008L6
L4008D6
L6008L6
L6008D6
L2008L8
L2008D8
L4008L8
L4008D8
L6008L8
L6008D8
MIN
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
6 A
L2006V5
L4006V5
L6006V5
L2006V6
L4006V6
L6006V6
L2006V8
L4006V8
L6006V8
L2008V6
L4008V6
L6008V6
L2008V8
L4008V8
L6008V8
5
5
5
5
5
5
10
10
10
5
5
5
10
10
10
5
5
5
5
5
5
10
10
10
5
5
5
10
10
10
5
5
5
10
10
10
20
20
20
10
10
10
20
20
20
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
8 A
MT1
MT2
G
MT2
MT2
MT1
G
MT2
MT2
G
MT1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BT137F-600E Thyristor Product Catalog
BT137F-600G Thyristor Product Catalog
BT137F-800G Thyristor Product Catalog
BT137S-600E DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 17.95Vz 5mA-Izt 0.0641 0.1uA-Ir 12.6 SOT-363 3K/REEL
BT137X-500 DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 6.8Vz 5mA-Izt 0.0588 2uA-Ir 4 SOT-363 3K/REEL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BT137F-600E 制造商:TECCOR 制造商全稱:TECCOR 功能描述:Thyristor Product Catalog
BT137F-600F 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs
BT137F-600G 制造商:TECCOR 制造商全稱:TECCOR 功能描述:Thyristor Product Catalog
BT137F700 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|700V V(DRM)|8A I(T)RMS|SOT-186
BT137F700E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|700V V(DRM)|8A I(T)RMS|SOT-186
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