參數(shù)資料
型號(hào)： BT137B-600G
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 晶閘管
英文描述： Triacs(雙向可控硅)
中文描述： 600 V, 8 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-263AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 52K
代理商： BT137B-600G
Philips Semiconductors
Product specification
Triacs
BT137B series
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
R
th j-mb
Thermal resistance
junction to mounting base
R
th j-a
Thermal resistance
junction to ambient
CONDITIONS
full cycle
half cycle
minimum footprint, FR4 board
MIN.
-
-
-
TYP.
-
-
55
MAX.
2.0
2.4
-
UNIT
K/W
K/W
K/W
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
...F
UNIT
BT137B-
...
...G
I
GT
Gate trigger current
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
5
8
35
35
35
70
25
25
25
70
50
50
50
100
mA
mA
mA
mA
11
30
I
L
Latching current
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
-
-
-
7
30
45
30
45
20
30
45
30
45
20
1.65
1.5
-
45
60
45
60
40
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
16
5
7
5
1.3
0.7
0.4
I
H
V
T
V
GT
Holding current
On-state voltage
Gate trigger voltage
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
I
T
= 10 A
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
;
T
j
= 125 C
0.25
I
D
Off-state leakage current
-
0.1
0.5
mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
...F
50
TYP.
MAX.
UNIT
BT137B-
...
...G
200
dV
D
/dt
Critical rate of rise of
off-state voltage
V
DM
= 67% V
DRM(max)
;
T
waveform; gate open
circuit
V
DM
= 400 V; T
j
= 95 C;
I
T(RMS)
= 8 A;
dI
/dt = 3.6 A/ms; gate
open circuit
I
TM
= 12 A; V
D
= V
;
I
G
= 0.1 A; dI
G
/dt = 5 A/
μ
s
100
250
-
V/
μ
s
dV
com
/dt
Critical rate of change of
commutating voltage
-
-
10
20
-
V/
μ
s
t
gt
Gate controlled turn-on
time
-
-
-
2
-
μ
s
June 1999
2
Rev 1.300
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BT137B-500F Triacs(雙向可控硅)
BT137B-600F 1-of-8 Decoder 20-LCCC -55 to 125
BT136F-600D Electrical Outlet Connector; Leaded Process Compatible:Yes; RoHS Compliant:Yes
BT136F-600E Thyristor Product Catalog
BT136F-600F Thyristor Product Catalog
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BT137B-600G/T3 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BT137B600T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRIAC|600V V(DRM)|8A I(T)RMS|SOT-404
BT137B-800 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:Triacs
BT137B-800 /T3 功能描述:雙向可控硅 TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT137B-800,118 功能描述:雙向可控硅 TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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