- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369509 > BT136SSERIES Triacs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BT136SSERIES |
| 英文描述： | Triacs |
| 中文描述： | 雙向可控硅 |
| 文件頁數(shù)： | 18/224頁 |
| 文件大?。?/td> | 2697K |
| 代理商： | BT136SSERIES |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁當前第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁
http://www.teccor.com
+1 972-580-7777
E0 - 2
2002 Teccor Electronics
Thyristor Product Catalog
V-I Characteristics of Thyristor Devices
V-I Characteristics of Triac Device
V-I Characteristics of SCR Device
V-I Characteristics of Sidac Device with Negative Resistance
V-I Characteristics of Bilateral Trigger Diac
Breakover
Voltage
Specified Minimum
Off-state
Blocking
Voltage (V
DRM
)
+I
-I
+V
-V
Minimum Holding
Current (I
H
)
Voltage Drop (V
) at
Specified Current (i
T
)
Latching Current (I
L
)
Off-state Leakage
Current – (I
DRM)
at
Specified V
DRM
Reverse
Breakdown
Voltage
Forward
Breakover
Voltage
Specified Minimum
Off - State
Blocking
Voltage (V
DRM
)
+I
-I
+V
-V
Minimum Holding
Current (I
H
)
Voltage Drop (V
) at
Specified Current (i
T
)
Latching Current (I
L
)
Off - State Leakage
Current - (I
DRM
) at
Specified V
DRM
Specified Minimum
Reverse Blocking
Voltage (V
RRM
)
Reverse Leakage
Current - (I
RRM
) at
Specified V
RRM
-V
+I
V
DRM
+V
V
S
I
S
I
H
R
S
I
DRM
I
BO
V
BO
V
T
I
T
(I
S
- I
BO
)
(V
BO
- V
S
)
R
S =
-I
+I
-I
10 mA
+V
-V
Breakover
Current
I
BO
Breakover
Voltage
V
BO
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT136SSERIESD | Triacs logic level |
| BT136X_SERIES | Triacs |
| BT136X_SERIES_D | Triacs logic level |
| BT136X_SERIES_E | Triacs sensitive gate |
| BT137-700E | TRIAC|700V V(DRM)|8A I(T)RMS|TO-220 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BT136SSERIESD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Triacs logic level |
| BT136SSERIESE | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs sensitive gate |
| BT136X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs sensitive gate |
| BT136X_SERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Triacs |
| BT136X_SERIES_D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Triacs logic level |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。