- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄369507 > BT136F-600G Thyristor Product Catalog PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BT136F-600G |
| 英文描述： | Thyristor Product Catalog |
| 中文描述： | 晶閘管產(chǎn)品目錄 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 124/224頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2697K |
| 代理商： | BT136F-600G |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)當(dāng)前第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)第135頁(yè)第136頁(yè)第137頁(yè)第138頁(yè)第139頁(yè)第140頁(yè)第141頁(yè)第142頁(yè)第143頁(yè)第144頁(yè)第145頁(yè)第146頁(yè)第147頁(yè)第148頁(yè)第149頁(yè)第150頁(yè)第151頁(yè)第152頁(yè)第153頁(yè)第154頁(yè)第155頁(yè)第156頁(yè)第157頁(yè)第158頁(yè)第159頁(yè)第160頁(yè)第161頁(yè)第162頁(yè)第163頁(yè)第164頁(yè)第165頁(yè)第166頁(yè)第167頁(yè)第168頁(yè)第169頁(yè)第170頁(yè)第171頁(yè)第172頁(yè)第173頁(yè)第174頁(yè)第175頁(yè)第176頁(yè)第177頁(yè)第178頁(yè)第179頁(yè)第180頁(yè)第181頁(yè)第182頁(yè)第183頁(yè)第184頁(yè)第185頁(yè)第186頁(yè)第187頁(yè)第188頁(yè)第189頁(yè)第190頁(yè)第191頁(yè)第192頁(yè)第193頁(yè)第194頁(yè)第195頁(yè)第196頁(yè)第197頁(yè)第198頁(yè)第199頁(yè)第200頁(yè)第201頁(yè)第202頁(yè)第203頁(yè)第204頁(yè)第205頁(yè)第206頁(yè)第207頁(yè)第208頁(yè)第209頁(yè)第210頁(yè)第211頁(yè)第212頁(yè)第213頁(yè)第214頁(yè)第215頁(yè)第216頁(yè)第217頁(yè)第218頁(yè)第219頁(yè)第220頁(yè)第221頁(yè)第222頁(yè)第223頁(yè)第224頁(yè)
AN1001
Application Notes
http://www.teccor.com
+1 972-580-7777
AN1001 - 4
2002 Teccor Electronics
Thyristor Product Catalog
Electrical Characteristic Curves of Thyristors
Figure AN1001.12
V-I Characteristics of SCR Device
Figure AN1001.13
V-I Characteristics of Triac Device
Figure AN1001.14
V-I Characteristics of Bilateral Trigger Diac
Figure AN1001.15
V-I Characteristics of a Sidac Chip
Methods of Switching on Thyristors
Three general methods are available for switching thyristors to
on-state condition:
Application of gate signal
Static dv/dt turn-on
Voltage breakover turn-on
Application Of Gate Signal
Gate signal must exceed I
and V
requirements of the thyristor
used. For an SCR (unilateral device), this signal must be positive
with respect to the cathode polarity. A triac (bilateral device) can
be turned on with gate signal of either polarity; however, different
polarities have different requirements of I
GT
and V
GT
which must
be satisfied. Since diacs and sidacs do not have a gate, this
method of turn-on is not applicable. In fact, the single major
application of diacs is to switch on triacs.
Static dv/dt Turn-on
Static dv/dt turn-on comes from a fast-rising voltage applied
across the anode and cathode terminals of an SCR or the main
terminals of a triac. Due to the nature of thyristor construction, a
small junction capacitor is formed across each PN junction.
Figure AN1001.16 shows how typical internal capacitors are
linked in gated thyristors.
Figure AN1001.16
Internal Capacitors Linked in Gated Thyristors
Reverse
Breakdown
Voltage
Forward
Breakover
Voltage
Specified Minimum
Off - State
Blocking
Voltage (V
DRM
)
+I
-I
+V
-V
Minimum Holding
Current (I
H
)
Voltage Drop (V
) at
Specified Current (i
T
)
Latching Current (I
L
)
Off - State Leakage
Current - (I
DRM
) at
Specified V
DRM
Specified Minimum
Reverse Blocking
Voltage (V
RRM
)
Reverse Leakage
Current - (I
RRM
) at
Specified V
RRM
Breakover
Voltage
Specified Minimum
Off-state
Blocking
Voltage (V
DRM
)
+I
-I
+V
-V
Minimum Holding
Current (I
H
)
Voltage Drop (V
) at
Specified Current (i
T
)
Latching Current (I
L
)
Off-state Leakage
Current – (I
DRM)
at
Specified V
DRM
+I
-I
10 mA
+V
-V
Breakover
Current
I
BO
Breakover
Voltage
V
BO
V
-V
+I
V
DRM
+V
V
S
I
S
I
H
R
S
I
DRM
I
BO
V
BO
V
T
I
T
(I
S
- I
BO
)
(V
BO
- V
S
)
R
S =
-I
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT136F-800 | Thyristor Product Catalog |
| BT136F-800F | Thyristor Product Catalog |
| BT136F-800G | Thyristor Product Catalog |
| BT136S-600D | Thyristor Product Catalog |
| BT136S-600E | Thyristor Product Catalog |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BT136F700 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|700V V(DRM)|4A I(T)RMS|SOT-186 |
| BT136F700E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|700V V(DRM)|4A I(T)RMS|SOT-186 |
| BT136F700G | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|700V V(DRM)|4A I(T)RMS|SOT-186 |
| BT136F-800 | 制造商:TECCOR 制造商全稱:TECCOR 功能描述:Thyristor Product Catalog |
| BT136F-800F | 制造商:TECCOR 制造商全稱:TECCOR 功能描述:Thyristor Product Catalog |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。