參數(shù)資料
型號: BT136B-800E
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 4Q Triac
中文描述: 4Q雙向可控硅
封裝: BT136B-800E<SOT404 (SOT404)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT404.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù): 11/14頁
文件大小: 142K
代理商: BT136B-800E
BT136B-800E
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 03 — 31 March 2011
11 of 14
NXP Semiconductors
BT136B-800E
4Q Triac
8.
Revision history
Table 7.
Document ID
BT136B-800E v.3
Modifications:
Revision history
Release date
20110331
The format of this data sheet has been redesigned to comply with the new identity
guidelines of NXP Semiconductors.
Legal texts have been adapted to the new company name where appropriate.
Type number BT136B-800E separated from data sheet BT136B_SERIES_E v.2.
20010601
Product specification
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BT136B_SERIES_E v.2
BT136B_SERIES_E v.2
-
BT136B_SERIES_E v.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BT136S-600E 4Q Triac
BT136S-600F 4Q Triac
BT136S-600 4Q Triac
BT136S-800E 4Q Triac
BT136S-800F 4Q Triac
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BT136B-800E /T3 功能描述:雙向可控硅 TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT136B-800E,118 功能描述:雙向可控硅 TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT136B800ET/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|800V V(DRM)|4A I(T)RMS|SOT-404
BT136B-800F 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs
BT136B-800G 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs