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參數(shù)資料
| 型號： | BT136-500G |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Triacs(雙向可控硅) |
| 中文描述： | 500 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | BT136-500G |
Philips Semiconductors
Product specification
Triacs
BT136 series
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
R
th j-mb
Thermal resistance
junction to mounting base
R
th j-a
Thermal resistance
junction to ambient
CONDITIONS
full cycle
half cycle
in free air
MIN.
-
-
-
TYP.
-
-
60
MAX.
3.0
3.7
-
UNIT
K/W
K/W
K/W
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
...F
UNIT
BT136-
...
...G
I
GT
Gate trigger current
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
5
8
35
35
35
70
25
25
25
70
50
50
50
100
mA
mA
mA
mA
11
30
I
L
Latching current
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
-
-
-
7
20
30
20
30
15
20
30
20
30
15
1.70
1.5
-
30
45
30
45
30
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
16
5
7
5
1.4
0.7
0.4
I
H
V
T
V
GT
Holding current
On-state voltage
Gate trigger voltage
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
I
T
= 5 A
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
;
T
j
= 125 C
0.25
I
D
Off-state leakage current
-
0.1
0.5
mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
...F
50
TYP.
MAX.
UNIT
BT136-
...
...G
200
dV
D
/dt
Critical rate of rise of
off-state voltage
V
DM
= 67% V
DRM(max)
;
T
waveform; gate open
circuit
V
DM
= 400 V; T
j
= 95 C;
I
T(RMS)
= 4 A;
dI
/dt = 1.8 A/ms; gate
open circuit
I
TM
= 6 A; V
D
= V
;
I
G
= 0.1 A; dI
G
/dt = 5 A/
μ
s
100
250
-
V/
μ
s
dV
com
/dt
Critical rate of change of
commutating voltage
-
-
10
50
-
V/
μ
s
t
gt
Gate controlled turn-on
time
-
-
-
2
-
μ
s
August 1997
2
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT136-600G | Triacs(雙向可控硅) |
| BT136-500F | Triacs(雙向可控硅) |
| BT136-600F | Triacs(雙向可控硅) |
| BT136-800F | Triacs(雙向可控硅) |
| BT136B -500D | Triacs logic level |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BT136-600 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristor TRIAC 600V 27A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Tube Bulk 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRIAC 4A 600V TO-220 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRIAC, 600V, 4A, TO-220AB |
| BT136-600,127 | 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BT136-600 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRIAC 4A 600V TO-220AB |
| BT136-600/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC 4A/600V |
| BT136-600/DG,127 | 功能描述:雙向可控硅 4Q TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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