參數資料
型號： BT136-500E
英文描述： 3.3-V Phase-Lock Loop Clock Driver 24-TSSOP 0 to 85
中文描述： 晶閘管產品目錄
文件頁數： 24/224頁
文件大小： 2697K
代理商： BT136-500E
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Sensitive Triacs
Data Sheets
http://www.teccor.com
+1 972-580-7777
E1 - 4
2002 Teccor Electronics
Thyristor Product Catalog
Specified Test Conditions
di/dt
— Maximum rate-of-change of on-state current; I
GT
= 50 mA with
0.1
μ
s rise time
dv/dt
— Critical rate-of-rise of off-state voltage at rated V
DRM
gate open
dv/dt(c)
— Critical rate-of-rise of commutation voltage at rated V
DRM
and I
T(RMS)
commutating di/dt = 0.54 rated I
T(RMS)
/ms; gate
unenergized
I
2
t
— RMS surge (non-repetitive) on-state current for period of 8.3 ms
for fusing
I
DRM
— Peak off-state current, gate open; V
DRM
= max rated value
I
GT
— DC gate trigger current in specific operating quadrants;
V
D
= 12 V dc; R
L
= 60
I
GTM
— Peak gate trigger current
I
H
— Holding current gate open; initial on-state current = 100 mA dc
I
T(RMS)
— RMS on-state current conduction angle of 360°
I
TSM
— Peak one-cycle surge
P
G(AV)
— Average gate power dissipation
P
GM
— Peak gate power dissipation;
I
GT
≤
I
GTM
t
gt
— Gate controlled turn-on time; I
GT
= 50 mA with 0.1 μs rise time
V
DRM
— Repetitive peak off-state/blocking voltage
V
GT
— DC gate trigger voltage; V
D
= 12 V dc; R
L
= 60
V
TM
— Peak on-state voltage at max rated RMS current
General Notes
All measurements are made with 60 Hz resistive load and at an
ambient temperature of +25
°
C unless otherwise specified.
Operating temperature range (T
J
) is -65
°
C to +110
°
C for TO-92
devices and -40
°
C to 110
°
C for all other devices.
Storage temperature range (T
S
) is -65
°
C to +150
°
C for TO-92
devices, -40
°
C to +150
°
C for TO-202 devices, and -40
°
C to
+125
°
C for TO-220 devices.
Lead solder temperature is a maximum of 230
°
C for 10 seconds
maximum at a minimum of 1/16” (1.59 mm) from case.
The case or lead temperature (T
C
or T
L
) is measured as shown on
dimensional outline drawings. See “Package Dimensions” section
of this catalog.
I
T(RMS)
(11)
Part No.
V
DRM
(1)
I
GT
(3) (6)
I
DRM
(1) (14)
Isolated
Non-isolated
TO-220
TO-252
D-Pak
TO-251
V-Pak
Volts
mAmps
QII
MAX
5
5
5
5
5
5
10
10
10
5
5
5
10
10
10
mAmps
QI
QIII
QIV
T
C
= 25 °C T
C
= 110 °C
MAX
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
MAX
See “Package Dimensions” section for variations. (12)
L2006L5
L2006D5
L4006L5
L4006D5
L6006L5
L6006D5
L2006L6
L2006D6
L4006L6
L4006D6
L6006L6
L6006D6
L2006L8
L2006D8
L4006L8
L4006D8
L6006L8
L6006D8
L2008L6
L2008D6
L4008L6
L4008D6
L6008L6
L6008D6
L2008L8
L2008D8
L4008L8
L4008D8
L6008L8
L6008D8
MIN
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
6 A
L2006V5
L4006V5
L6006V5
L2006V6
L4006V6
L6006V6
L2006V8
L4006V8
L6006V8
L2008V6
L4008V6
L6008V6
L2008V8
L4008V8
L6008V8
5
5
5
5
5
5
10
10
10
5
5
5
10
10
10
5
5
5
5
5
5
10
10
10
5
5
5
10
10
10
5
5
5
10
10
10
20
20
20
10
10
10
20
20
20
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
8 A
MT1
MT2
G
MT2
MT2
MT1
G
MT2
MT2
G
MT1
相關PDF資料
PDF描述
BT136-500F Thyristor Product Catalog
BT136-500G Thyristor Product Catalog
BT136-600D Thyristor Product Catalog
BT136-600E High Performance 1:10 Clock Buffer for General Purpose Applications 24-TSSOP -40 to 85
BT136-600F High Performance 1:10 Clock Buffer for General Purpose Applications 24-TSSOP -40 to 85
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BT136-600,127 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT136-600 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRIAC 4A 600V TO-220AB
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