參數(shù)資料
型號： BT131-500
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： Triacs logic level
中文描述： 500 V, 1 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 34K
代理商： BT131-500
Philips Semiconductors
Product specification
Triacs
logic level
BT131 series
Fig.1. Maximum on-state dissipation, P
, versus rms
on-state current, I
T(RMS)
, where
α
= conduction angle.
Fig.2. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
, versus pulse width t
p
, for
sinusoidal currents, t
p
≤
20ms.
Fig.3. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
, versus number of cycles, for
sinusoidal currents, f = 50 Hz.
Fig.4. Maximum permissible rms current I
T(RMS)
,
versus lead temperature T
lead
.
Fig.5. Maximum permissible repetitive rms on-state
current I
T(RMS)
, versus surge duration, for sinusoidal
lead
≤
51C.
Fig.6. Normalised gate trigger voltage
V
GT
(T
j
)/ V
GT
(25C), versus junction temperature T
j
.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
= 180
120
90
60
30
IT(RMS) / A
Ptot / W
Tsp(max) / C
125
122
119
116
113
110
107
104
1
-50
0
50
100
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Tsp / C
IT(RMS) / A
108 C
10us
100us
1ms
T / s
10ms
100ms
10
100
1000
BT132D
ITSM / A
T
ITSM
time
I
Tj initial = 25 C max
T
T2- G+ quadrant
dI /dt limit
0.01
0.1
1
10
0
0.5
1
1.5
2.0
2.5
3
surge duration / s
IT(RMS) / A
1
10
Number of cycles at 50Hz
100
1000
0
2
4
6
8
10
12
ITSM / A
T
ITSM
time
I
Tj initial = 25 C max
T
-50
0
50
100
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
Tj / C
VGT(Tj)
VGT(25 C)
May 2000
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BT131_SERIES Triacs logic level
BT131SERIES Triacs logic level
BT131W_SERIES Triacs logic level
BT131W-600 Thyristor Product Catalog
BT131W-500 Triacs logic level
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參數(shù)描述
BT131-600 功能描述:雙向可控硅 BULKSL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT131-600,116 功能描述:雙向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 13.8A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT131-600,412 功能描述:雙向可控硅 BULKSL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT131-600/DG,116 功能描述:雙向可控硅 4Q TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT131-600/DG,412 功能描述:雙向可控硅 4Q TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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