型號: | BST80 |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
中文描述: | 500 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 4/12頁 |
文件大?。?/td> | 74K |
代理商: | BST80 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BST84 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
BST86 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
BSV17-16 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-205AD |
BSV17 | Small Signal Transistors |
BSX19 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BST80T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 500MA I(D) | SOT-89 |
BST82 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin TO-236AB Bulk 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-Channel 100V 0.19A TO236AB |
BST82 /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCH-100 -TAPE 13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BST82 T/R | 功能描述:MOSFET TAPE7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BST82,215 | 功能描述:MOSFET TAPE7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |