參數(shù)資料
型號: BST80
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述: 500 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 4/12頁
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代理商: BST80
1997 Jun 20
4
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BST80
Fig.2 Switching times test circuit.
handbook, halfpage
MSA631
50
DD
ID
10 V
0 V
Fig.3 Input and output waveforms.
handbook, halfpage
MBB692
10 %
90 %
90 %
10 %
ton
toff
OUTPUT
INPUT
Fig.4 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
200
0
0.4
0.8
MLC697
Tamb
o
50
100
150
Ptot
(W)
Fig.5
Capacitance as a function of drain-source
voltage; typical values.
V
GS
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
(1) C
iss
.
(2) C
oss
.
(3) C
rss
.
handbook, halfpage
0
(1)
(2)
(3)
80
40
0
C
(pF)
VDS (V)
10
20
30
MDA176
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PDF描述
BST84 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
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參數(shù)描述
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BST82 /T3 功能描述:MOSFET TRENCH-100 -TAPE 13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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BST82,215 功能描述:MOSFET TAPE7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube