參數(shù)資料
型號： BST76
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： N溝道增強型垂直D-MOS晶體管
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大小： 78K
代理商： BST76
1997 Jun 20
7
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BST76A
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
5.2
5.0
b
0.48
0.40
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
L
14.5
12.7
e
2.54
e1
1.27
L1
(1)
max
L2
max
2.5
2.5
b1
0.66
0.56
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Notes
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
SOT54 variant
TO-92
SC-43
A
L
0
2.5
5 mm
scale
b
c
D
b
1
L1
d
E
Plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads (on-circle)
SOT54 variant
1
2
3
L2
e1
e
97-04-14
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PDF描述
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參數(shù)描述
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