參數(shù)資料
型號： BST15
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP high-voltage transistor
中文描述： 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： BST15
1999 Apr 26
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP high-voltage transistors
BST15; BST16
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, single-sided copper, tinplated, mounting pad for collector 6 cm
2
.
For other mounting conditions, see “Thermal considerations for SOT89 in the General Part of associated Handbook”.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-s
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to soldering point
note 1
95
15
K/W
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
BST15
BST16
emitter cut-off current
BST15
BST16
DC current gain
BST15
BST16
collector-emitter saturation voltage
collector capacitance
I
E
= 0; V
CB
=
175 V
I
E
= 0; V
CB
=
280 V
100
100
nA
nA
I
EBO
I
C
= 0; V
EB
=
4 V
I
C
= 0; V
EB
=
6 V
I
C
=
50 mA; V
CE
=
10 V
100
100
nA
nA
h
FE
30
30
150
120
750
15
V
CEsat
C
c
I
C
=
50 mA; I
B
=
5 mA
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V;
f = 1 MHz
I
C
=
10 mA; V
CE
=
10 V;
f = 100 MHz
mV
pF
f
T
transition frequency
15
MHz
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BST15/100D48 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Converter IC
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